模拟电子技术基础-赵建辉-02第1章_常用半导体器件--PN结及二极管.ppt

北航五研 北航五研 北航五研 常见半导体二极管 1.2.1 半导体二极管常见结构 按结构分点接触型、面接触型和平面型三大类。 (a)点接触型 (b)面接触型 (c)平面型 结面积小，结电容小，检波和高频电路。 结面积可大可小，高频整流和开关电路。易于扩散工艺，适合集成电路。 PN结面积大，用于工频大电流整流电路。 (d)符号 1.2.2 二极管伏安特性 二、温度影响 温度升高? 正向曲线左移 反向曲线下移 (逆时针转动) 正向压降：-2.5mV/oC Is: ↑1倍/↑10oC 一、伏安特性 uD iD 开启电压UON 硅管0.5V, 锗管0.1V。 导通压降(UT): 硅管0.6~0.8V,锗管0.2~0.3V 反向击穿电压UBR UBR 图1.2.3 二极管伏安特性曲线 反向特性曲线 u0 正向特性曲线 u0 UT 1.2.3 二极管主要参数 应用选型 (1) 最大整流电流IF(与温度有关) (2) 最大反向工作电压(UR=1/2UBR) (3) 反向电流IR(温度敏感) (4) 最高工作频率 fMax (Cj = Cb+ Cd) (5) 其它参数:额定功耗/极间电容/正向管压降/动态电阻/温度系数等 rd 考虑以上参数，如何等效？ 1.2.4 二极管等效电路 等效电路(等效模型)?外特性，便于电路定量分析 rd 理想模型 恒压降模型 折线模型 交流小信号模型 注意应用需求场合 直流电阻 动态电阻 小信号交流等效电路分析与计算 结论记住，会用！ 与工作点Q有关！ 工作点Q越高，rD越小！ 特性方程 定义 二极管特性曲线 1.2.5 稳压二极管 反向电击穿特性 稳压管参数： 稳定电压：Uz 稳定电流：Iz(Izmax、Izmin) 额定功耗： 动态电阻： 温度系数：α（%/℃） 注意：应用中需要限流电阻！ 稳压二极管的应用（例1.2.2） uo iZ DZ R iL i ui RL 稳压管的技术参数: 解：稳压管正常工作，流过的反向电流为：Izmin ~ Izmax 总电流： 分别把Izmin ~ Izmax带入（1）得到输入电流范围，再带入（2）可得到R范围。 （1） （2） 求：限流电阻范围？ ? 变容二极管（调谐电路） 势垒电容CT随外电压变化，注意PN反偏 正向电流发光，注意限流，5-20mA 1.2.6 其它类型二极管 ? 发光二极管（数码指示） 光致自由电子，注意PN反偏。 ? 光电二极管（遥控通信） ED D RL UD ? 光电耦合（隔离耦合） 数字隔离/模拟隔离 二极管的用途： 整流、检波、限幅、箝位、开关、 元器件保护、温度补偿等。 1.2.7 二极管应用 分析方法：利用单向导电性。 分析关键：判断二极管处于导通（短路）， 还是截止（开路）状态。 开关电路（思路：先断开二极管，再接入，判断导通或截止） UO1≈1.3V， UO2＝0， UO3≈-1.3V， UO4≈2V， UO5≈1.3V， UO6≈-2V。 （P64 第三题） 导通 截止 导通 截止 导通 截止 RL ui uo 半波整流电路 ui uo t t 模拟电子技术基础 北京航空航天大学仪器科学与光电工程学院 主讲 ：赵建辉 第一章 常用半导体器件(1) 1.1 半导体基础知识 1.2 半导体二极管 1.3 双极性晶体管 1.4 场效应管 1.5 单结晶体管和晶闸管 1.6 集成电路中的元件 第1章 常用半导体器件 本节课内容 1.1 半导体基础知识 1.1.1 本征半导体 1.1.2 杂质半导体 1.1.3 PN结 重点：PN结原理、伏安特性及电流方程。 难点：1.两种载流子及其运动 2.PN结的形成 3.PN结单向导电性 重点难点 导体 自然界中容易导电的物质称为导体，如金、银、铜、铝等金属（p=）。 绝缘体 有的物质几乎不导电，称为绝缘体，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。 半导体 另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体之间，称为半导体，如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。 导体、半导体与绝缘体 本质: 决定于原子结构(最外层电子分布) 一、半导体 半导体 的导电机理不同于其它物质，所以它具有不同于其它物质的特点。例如： 热敏/光敏特性。当受外界热和光的作用时，它的导电能力明显变化。如制作CCD/CMOS光电耦合器件等（优点）,受温度变化影响大(缺点)。 掺杂特性。往纯净的半导体中掺入某些杂质，会使它的导电能力明显改变。如制作二极管、三极管器件(优点)，但是温度敏感（缺点）。 半导体特性 1.1.1 本征半导体 二、本征半导体的原子结构 Ge Si Si 纯净的具有晶体结构的半导体为本征半导体。纯度：