紧凑型高压真空断路器推荐.doc

紧凑型高压真空断路器可行性研究 作者：Hans Schellekens Schneider Electric, Grenoble, France and Georges Gaudart VATECH TD, Siemens Group, Grenoble, France 摘要这项研究集中在一个紧凑型真空断路器（CB），额定电压72.5千伏，额定电流为2000 A和31.5 kA的短路电流。基于多个浮动配置，从而降低了总的风险由于接触和之间部分击穿的真空灭弧室（VI）的介质。一个优化的接触表面上的电场分布的最大指向浮动领域安排，从而减少击穿的每一个接触的有效面积。中断的性能被证实直接测试。断路器被证明是极重燃无电缆充电C2类。在新的条件和绝缘试验后中断测试证实公布的评级。这些试验证实，25％以上的紧凑VI的基础上概述的介质概念的这个高压CB的可行性。真空击穿，绝缘击穿，真空灭弧室，高电压技术，断路器，。1.引言 自1970年的真空灭弧室（VI）已适用于72千伏电压等级和更高的单断点断路器[1]。主要突破已在日本真空电介质，我们这里指的“区域效应”[2]，其中涉及暴露的接触面积的真空间隙的绝缘强度，和垫款在真空灭弧室的“电压调节”[3]。最近已提议为145千伏的电压，真空技术[4,5]以上[6]。同时，该技术似乎蔓延到欧洲大陆[7]。更复杂的设计与VI的概念提出[7,8]。最近的环境压力，放弃SF6电流开断和隔离介质，增加VI高电压（HV）的应用VI’s。 2.1多重防护配置 图1三种可能的屏障配置代表。VI的中等电压往往是一个单一的动屏蔽（图1a），??虽然这配置已经提出了高电压应用[4]。最近提 的VI’s [7,8]使用陶瓷4，从而导致（至少）两种可能配置的浮动屏（1和1c）。图1b中心防护物D面临两个触点A+ B，而在图1c中屏障物G是从两个触点A + B的中间屏蔽E+ F。 我们期望这些高频率现象在不同情况下运转如同高频电击穿。因此，我们研究的屏蔽低压配电是一个非持续的介电放电（NSDD）或持续时间短的电击穿在这项研究中，这是两个数值（ATP计划）和实验，一个是模拟电源频率测试。一个变压器被用来作为电压源（包括杂散电容和电感）和现实的电容值（介于屏障和触体）基于（接近）最终几何的基础。此外，屏障的尺寸是同样的屏障和触体之间的共享电压。我们区分下列情况：主触点与接触和屏障之间局部击穿之间的全面故障。 表1给出了计算高频电流流短持续故障后的触体或屏蔽的最大恢复电压。关于一个NSDD的持续通常小于7微秒概要，电流为零，当高频电流被中断恢复已建立。主触点故障和随后的恢复后，由于接触电压的两倍（200％）充电的电缆电容。屏蔽潜力相应增加电容耦合。对于这个条件下，图1b和1c的 VI运转相同。实际上，这意味着一个NSDD之间的接触将几乎可以肯定进步成一个完整的击穿而接触的差距未必可以抵制这个电压加倍。 更有趣的是，虽然接触和屏蔽之间是在局部击穿的情况下。在图1b中央六屏蔽D屏蔽 E和F的局部屏蔽，不包括部分触体与这些击穿之间的故障。在图1c中央VI 屏蔽G是从接触部分屏蔽E和F局部击穿屏蔽的。不包括部分触体与这些击穿之间的故障。区别：部分故障的情况下，图1a或图1b类型相比中央的电压跳变屏蔽总电压可以达到约111％。图1C型的种类只有76％。 电压跳变的减少降低了VI内部和外部的电应力，使局部进展细分为??不太可能全面崩溃。因此，电介质承受VI的改善功能。 电压跳变取决于（部分）发生故障和电压源的性质。如果电压所产生的雷电脉冲，击穿跨越接触将采用象征电流直到闪电电压消失; 在此条件下使电压跳变是不太可能的。然而，在部分情况下当前是最小的击穿，所有类型的外加电压下电压跳变是可能发生的。 对于我们的“浮动多个VI屏蔽的最终几何，我们通过实验验证预测电压于表1中。测试是在一个真实大小的模型灭弧室，但在30 V使用快速开关晶体管至五降低电压模拟击穿。图2a所示的测试设置。在图2a中的接触截面和提出浮动屏蔽。脉冲形成网络模拟电源频率测试和包括： - 电压源：R1和C1 - 变压器的短路阻抗：L1- 变压器杂散电容：C2- 变压器和测试对象之间的杂散电感，是VI ：L2- 地线电容分压器和相关测试对象（CB杆）地球：C3。 - 继电器3封闭，履行所有的初始化测试地球的电容测试之前。在测试过程中继电器3触点保持开放。继电器1用于电容C1充电，这代表电压源。- 用于高速晶体管（触点间）创建短路和模拟故障。晶体管的关闭和开放，实现由触发脉冲。传导电流的持续时间取决于触发脉冲的持续时间；这里约1微秒。指示触发脉冲电压的最大在预图2b中的箭头。 - 测量接触和屏蔽上的电压电容探头（未显示）。 表