精品课程《功能材料》ppt课件第四讲 磁性材料与半导体材料.pptVIP

第四讲 磁性材料与半导体材料 1907年 P.Weiss的磁畴和分子场假说 1919年 巴克豪森效应 1928年 海森堡模型，用量子力学解释分子场起源 1931年 Bitter在显微镜下直接观察到磁畴 1933年 加藤与武井发现含Co的永磁铁氧体 1935年 荷兰Snoek发明软磁铁氧体 1935年 Landau和Lifshitz考虑退磁场, 理论上预言 了磁畴结构 1946年 Bioembergen发现NMR效应 1948年 Neel建立亚铁磁理论 1954-1957年 RKKY相互作用的建立 1958年 M?ssbauer效应的发现 1960年 非晶态物质的理论预言 1965年 Mader和Nowick制备了CoP铁磁非晶态合金 1970年 SmCo5稀土永磁材料的发现 1982年 扫描隧道显微镜, Brining和Rohrer, ( 1986 年, AFM ) 1984年 NdFeB稀土永磁材料的发现 Sagawa(佐川) 1986年 高温超导体，Bednortz-muller 1988年 巨磁电阻GMR的发现, M.N.Baibich 1994年 CMR庞磁电阻的发现，Jin等LaCaMnO3 1995年 隧道磁电阻TMR的发现, T.Miyazaki 4.1.2 软磁材料 （1）电工纯铁和低碳电工钢 a）电工纯铁 b）铁铝合金 美国材料试验协会(ASTM)的电工硅钢片的应用及磁性能 （2）铁镍合金和铁铝合金 （3）非晶态合金 4.1.3 硬磁材料 硬磁材料可分成以下几类： a）铸造硬磁合金 b）可变形硬磁合金 c）稀土永磁材料 钐钴合金和钕铁硼合金性能 d）其他永磁材料 不同永磁材料的主要用途 4.1.4 磁记录材料 （2）磁记录介质材料 * b）连续薄膜型磁记录介质: 4.2 半导体材料 在半导体产业的发展中，一般将硅、锗称为第一代半导体材料；将砷化镓、磷化锢、磷化镓、砷化锢、砷化铝及其合金等称为第二代半导体材料；而将宽禁带(Eg2.3eV)的氮化镓、碳化硅、硒化锌和金刚石等称为第三代半导体材料。 上述材料是目前主要应用的半导体材料，三代半导体材料代表品种分别为硅、砷化镓和氮化镓。 4.2.2 半导体材料的分类 1） 元素半导体 2） 二元化合物半导体 重要的有砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、锑化铟(InSb)、氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、硫化镉(CdS)等。 其中砷化镓是除硅之外研究最深入、应用最广泛的半导体材料。由于砷化镓是一种直接带隙的半导体材料，并且具有禁带宽度宽、电子迁移率高的优点，因而砷化镓材料不仅可直接研制光电子器件，如发光二极管、可见光激光器、近红外激光器、量子阱大功率激光器、红外探测器和高效太阳能电池等 。 碳化硅由于其抗辐射能力强、耐高温和化学稳定性好，在航天技术领域有着广泛的应用。 氮化镓材料是近十年才成为研究热点，它是一种宽禁带半导体材料（Eg＝3.4eV），具有纤锌矿结构的氮化镓属于直接跃迁型半导体，是制作绿光、蓝光、紫光乃至紫外发光二极管、探测器和激光器的材料。 3） 三元化合物半导体 4）固溶体半导体 5）非晶态半导体 从目前研究的深度来看，颇有实用价值的非晶半导体材料首推氢化非晶硅（α－SiH）及其合金材料（α－SiC:H、α－SiN:H），可以用于低成本太阳能电池和静电光敏感材料。例如，a—Si : H太阳能电池产量已占总太阳能电池产量的30％，它不仅占领了计算器等家用电器电源的市场，而且装备了太阳能电池汽车和模型飞机；500kW的电站己投入试运行。 非晶Se（α－Se）、硫系玻璃及氧化物玻璃等非晶半导体在传感器、开关电路及信息存储方面也有广泛的应用前景。 非晶态半导体的各种现象和应用 +4 +4 +5 +4 N型半导体 多余电子 磷原子 N型半导体 N型半导体中的载流子是什么？ 1、由施主原子提供的电子，浓度与施主原子相同。 2、本征半导体中成对产生的电子和空穴。 3、掺杂浓度远大于本征半导体中载流子浓度，所以，自由电子浓度远大于空穴浓度。自由电子称为多数载流子（多子），空穴称为少数载流子（少子）。 P型半导体 在硅或锗晶体中掺入少量的三价元素，如硼（或铟），晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代，硼原子的最外层有三个价电子，与相临的半导体原子形成共价键时，产生一个空穴。这个空穴可能吸引束缚电子来填补，使得硼原子成为不能移动的带负电的离子。 由于硼原子接受电子，所以称为受主原子。 +4 +4 +3 +4 空穴 P型半导体 硼原子 总