第5五章存储器.pptVIP

MCS-51单片机最小应用系统 地址扩展要点 合理选用芯片 P0.0-P0.7?D输入 Q输出?A0-A7 分清/CLR与/OC及/OE ALE?G或STB /ALE?CLK 扩展2k字节RAM8031+6116 * * 第五章 存储器 “扩展”的概念 半导体存储器的类型及适用场合； 单片机系统中常用的存储芯片； 单片机系统中存储器的扩展方法。 单片机的扩展 MCU 存储空间 程序 存储器 数据 存储器 人机交互 键盘 显示器 输入输出 数字I/O接口 A/D D/A 通信接口 地址锁存器 地址译码器 数据总线 地址总线 控制总线 三总线的形成 存储器的类型 半导体存储器 动态RAM(DROM)：电容 只读存储器 ROM 随机存取存储器 RAM 静态RAM(SRAM)：双稳态触发器 非易失性RAM (NVRAM)：SRAM+EEPROM 掩膜ROM：厂家一次性编程 可编程PROM(PROM)：用户一次性编程 可擦除PROM(EPROM)：紫外光整体擦除 电可擦除EPROM(EEPROM)：电脉冲单元/页面擦除 闪存 Flash-ROM：电脉冲单元/页面擦除 数据存储器的扩展 数据存储器用于存放现场采集的原始数据及运算的中间结果等。 在运行过程中可随时对任意存储单元进行读、写操作。 通常用静态RAM作为外部数据存储器,必要时也可以用其它存储器。。 总线带负载能力 适时增加缓冲器或总线驱动器 速度匹配 根据MCU的速度选配存贮器 地址分配与片选控制 合理利用资源、兼顾硬软需求 控制信号 读/写 …… 存储器扩展注意事项 常用的静态RAM 存储器的容量：存储矩阵；N=2n 地址译码：行地址译码、列地址译码 存储器的结构 读写控制：/CE、/OE、/WE 存储器的结构 6264的操作方式 外部数据存储器扩展 74LS273 74LS373 Intel 8282 地址锁存器 §5.2.3地址锁存器 8D锁存器，三态驱动输出 8D锁存器，上跳沿触发 8D触发器，共使能， 8位锁存，输入/输出同相 编址及译码 8051采用存储器和I/O口统一编址方式 片内地址线 单片机可以直接和所选存储芯片地址对应相连的那部分地址线。 片选地址线(为什么要片选) 除片内地址线以外的其余地址线。 注意 一般用地址总线的高几位作为片选地址线，以使相应外设得到连续的地址分布。 线选方式 片选地址线直接接到芯片的片选端? 全译码方式 所有片选地址线全部参加译码 部分译码方式 片选地址线部分参加译码，剩下部分悬空 存储器地址的译码方法 两种常用译码器 3-8译码器 双2-4译码器 与扩展有关的芯片—74LS138 G2B G2A G1 与扩展有关的芯片—74LS139 扩展64k字节RAM8031+(62128×4) §5.3 程序存储器的扩展 扩展的外部程序存储器的特点： 存储数据非易失； 存储数据在使用时不可更改。 所以需采用只读存储器，多采用EPROM或E2PROM 。 §5.3.1 EPROM引脚 §5.3.2 EPROM的工作方式 五种工作方式 ⑴读方式：程序代码写入EPROM之后主要工作方式。进入这种方式必须保证CE为低，OE为低，才可以将指定的地址单元的内容读出到数据线上。 ⑵维持方式：将CE脚升为高电平，这时EPROM输出为高阻抗，不占用数据线。 ⑶编程方式（又称写入方式）：将Vpp加至+25V，CE、OE都加高电平，就能将数据线上的信息写入到指定的地址单元。 ⑷编程校验方式：保持Vpp为+25V，其他按读出方式读出，以便校验写入的内容正确与否。 ⑸编程禁止方式：保持Vpp为+25V，令CE脚为低电平，则EPROM的输出脚为高阻抗。 §5.3.2 EPROM的工作方式 §5.3.3 外部程序存储器扩展 2764(A)存储空间:0000H~1FFFH 2764(A)存储空间:8000H~9FFFH *