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常用半导体器件 在形成晶体结构的半导体中，人为的掺入特定的元素杂质时，导电性能具有可控性；并且，在光照和热辐射条件下，其导电性还有明显的变化；这些特殊的性质就决定了半导体可以制成各种电子器件。 理论表明，本征半导体载流子浓度为 ni=np。 禁带宽度：热力学零度时破坏共价键所需要的能量，硅为1.21eV,锗为0.785eV。 当k=0时，自由电子与空穴浓度均为0，本征半导体成为绝缘体，在一定的温度范围内，当温度升高时，本征半导体载流子浓度近似按指数增高。常温，即k=300。 半导体材料性能对温度的这种敏感性，可以制作光敏和热敏器件。 N型半导体掺入5价元素，P型半导体掺入3价元素。 电子的扩散工艺 PN结 1.形成：P型半导体与N型半导体制作在一起，形成PN结。由于多子的扩散与少子的漂移在PN半导体之间形成的一个电场区域，就是所谓的PN结，也称为耗尽层。 PN结正偏处于导通状态，反偏处于截止状态。 由PN结就构成了二极管，也即二极管具有单向导电性。 齐纳击穿：在高掺杂情况下，因为耗尽层宽度很窄，不大的反向电压就可在耗尽层形成很强的电场，使PN结中的共价键破坏。使价电子脱离共价键的束缚，产生电子空穴对，致使电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿。 雪崩击穿：当反向电压增到较大数值时，耗尽层的电场使少子加快漂移速度，从而与共价键中的价电子相碰撞，把价电子碰出共价键，产生电子空穴对，新的电子与空穴被电场击穿后又撞出其他的价电子，这样载流子雪崩式的增加，致使电流急剧增加，这种击穿称为雪崩击穿。 势垒电容：当PN结外加电压变化时，空间电荷区的宽度也将随之变化，即耗尽层的电荷量也随外加电压的增大而减小。这种现象与电容器的充放电过程相同，耗尽层宽窄变化所等效的电容称势垒电容Cb。利用PN结加反向电压时Cb随U的变化，可制成各种变容二极管。 平衡少子：PN结处于平衡状态时的少子。 非平衡少子：PN结处于正向偏置时，从P区扩散到N区的空穴和从N区扩散到P区的自由电子。 当外加电压一定时，靠近耗尽层交界面的地方非平衡少子的浓度高，而远离交界面的浓度低，且浓度自高到低逐渐衰减，直到零。形成一定的浓度梯度，从而形成扩散电流。当外加电压增大时，非平衡少子的浓度也增大且浓度梯度也增大，从外部看正向电流增大。 扩散电容：扩散区内，电荷的释放和积累过程和电容的充放电过程相同。