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EAST全超导托卡马克不同放电阶段逃逸电子产生机制研究 卢洪伟 胡立群 林士耀 中国科学院等离子体物理研究所 Email:luhw@ipp.ac.cn 摘要 电子发生逃逸在托卡马克等离子体中是较常见的现象，特别是在等离子体破裂阶段，会产生大量的逃逸电子。破裂产生的逃逸电子将对托卡马克装置的第一壁材料产生严重的损伤。 由CdTe半导体探测器和BGO闪烁体探测器组成的硬X射线诊断系统可以用来观测能量范围在0.3-7.0MeV，来自逃逸电子撞击EAST托卡马克第一壁材料产生的硬X射线轫致辐射。 结合ECE、中子等有关诊断手段，研究了EAST全超导托卡马克不同放电阶段下逃逸电子的产生机制。 摘要（续） 实验结果显示：在欧姆放电的起始阶段，逃逸电子的初级产生过程占主导地位。随着放电的进行，逃逸电子的次级雪崩过程逐渐增长，在放电后期一直到等离子体破裂阶段，雪崩过程将占据主导地位。等离子体破裂以后，由于存在较高的环电压，产生了高能逃逸电子尾巴。 逃逸电子研究的意义 逃逸电子损失到第一壁材料上，损伤材料的性能和寿命。 逃逸电子在slide-away放电条件下可以有效携带等离子体电流，有效改善等离子体约束 。 逃逸电流在破裂阶段可以减小电流下降率，减轻大破裂对装置产生的损害。 逃逸电子可以作为内部磁涨落的试探粒子