铜铟镓硒（CIGS）薄膜的制备-材料合成化学课件PPT.pptVIP

3.1 比较 普遍采用和制备出高效率电池的是共蒸发和后硒化法. 其他方法沉积得到符合元素化学计量比的CIGS薄膜比较困难并且容易出现二元或一元杂相,影响了电池效率的进一步提高. 溅射后硒化法被视作更理想的产业化路线,目前国际上生产线也多采用此方法. 3.2 目前研究 Ger US Jap 大陆 NREL Shell solar Veeco Nanosolar IST ZSW Solibro solar Surfurcell Showa Honda 南开光电子所 北大等离子所 中科院 孚日 台湾 铼德 SunShine PV 展望： 2010年9月，德国研究机构ZSW宣布,其CIG S转化效率达到20.3%，使CIGS与多晶硅电池的效率差距缩小到只有0.1%。 ZSW的实验室 参考文献 1、Udai P. Singh and Surya P. Patra. Progress in Polycrystall- ine Thin-Film Cu(In,Ga)Se2 Solar Cells. International Journal of Photoenergy.2010. 2、V.K. Kapur et al. Thin Solid Films.431–432 (2003) 53–57； 3、 A. ROMEO ET AL. Prog. Photovolt: Res. Appl. 2004,12:93–111； 4、 Kwak et al.Crystal Growth Design, 2010,10,5297-5301； 5、 M. Chandramohan et al. Materials Science and Engineering B.174 (2010) 205–208; 6、郭杏元等. CIGS薄膜太阳能电池吸收层制备工艺综述.真空与低温.2008,14(3):125-132; 7、肖建平等.CIGS薄膜材料研究进展.西南民族大学学报.2008,34(1):189-192. * * 原理是光生伏特效应。当光照射到pn结上时，产生电子一空穴对，受内建电场的吸引，电子流入n区，空穴流入p区，结果使n区储存了过剩的电子，p区有过剩的空穴。 * 由相图知，γ相为黄铜矿结构，这正是我们需要的。铜铟硒化合物主要为P型半导体，但当铟含量超高时，会转变为N型。 * 光吸收主要是在CIGS层进行。 * 铜铟镓硒薄膜太阳电池具有生产成本低、污染小、不衰退、弱光性能好等特点，光电转换效率居各种薄膜太阳能电池之首，接近晶体硅太阳电池，而成本则是晶体硅电池的三分之一，被国际上称为 * 民用建筑 移动设备 空间飞行器 CIGS电站 * 共蒸发是典型的物理气相沉积工艺(PVD)。根据薄膜沉积过程,共蒸发可分为一步法、两步法和三步法。现在一般采用的是美国可再生能源实验室(NREL)开发的三步共蒸发工艺沉积方法。这种方法制备的小面积电池的转换效率高达19.99%，曾经是薄膜太阳能电池的世界纪录。 * 一步法是在基板温度为450~550℃时,全部元素同时蒸发。两步法又称波音双层工艺，第一步是在衬底温度350℃时,沉积富铜的CIGS薄膜,第二步是衬底温度为550℃时沉积贫铜的CIGS薄膜。 * * 这就是美国国家能源实验室NREL制作的CIGS试样，用的是三步硒化法，创造了曾经的薄膜材料的光电转率效率记录：19.9%。 * 该工艺一般分为两步:第一步是在基板温度低于200℃下将Cu-In-Ga预制层溅射在基板上。第二步是在H2Se/H2S+Ar或Se/S气氛中对前驱体进行热处理。 溅射后硒化方法，优点是成膜速度高，制备的薄膜附着力好，成分容易控制，表面比较平整。已经成为国际上普遍接受的产业化方法。 该工艺一般分为两步:第一步是在基板温度低于200℃下将Cu-In-Ga预制层溅射在基板上。第二步是在H2Se/H2S+Ar或Se/S气氛中对前驱体进行热处理。 溅射后硒化方法，优点是成膜速度高，制备的薄膜附着力好，成分容易控制，表面比较平整。已经成为国际上普遍接受的产业化方法。 * * 可知,各元素的电化学势差别很大,所以要实现Cu、In、Ga、Se四种元素共沉积，需要调节溶液的pH值、浓度、络合剂，以使它们的沉积电位接近。 电沉积法得到的薄膜并非结晶的单一相,而是多相混合体,为了提高薄膜的电性能,后续的热处理过程也必不可少。 * * 这篇文章的方法比较特别，是在高密度CdS纳米线阵列上电沉积CIGS薄膜。作为CIGS电池缓冲层的CdS为N型半导体，在电化学沉积中作为工作阴极。由于CdS纳米线是一维的单晶，所以能得到很多的PN结，提高载流子的收集效率。 * 沉积过程中要分5段时间设置不同的沉积电压