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第6章　霍尔传感器 　　　　　　6.1 工作原理6.1.1 霍尔元件的结构　　金属或半导体薄片置于磁感应强度为B的磁场中， 磁场方向垂直于薄片， 如图6-1(a)所示。 当有电流I流过薄片时， 在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势EH， 这种现象称为霍尔效应， 该电动势称为霍尔电动势（Hall emf）。 上述半导体薄片称为霍尔元件。 　　霍尔元件属于四端元件： 其中一对（即a、b端）称为激励电流端， 另外一对（即c、d端）称为霍尔电动势输出端， c、d端一般应处于侧面的中点。 　　霍尔元件的外形如图6-1（b）所示， 它是由霍尔片、 4根引线和壳体组成。 霍尔片是一块矩形半导体单晶薄片（一般为4×2×0.1 mm3）， 在它的长度方向两端面上焊有a、 b两根引线， 称为控制电流端引线， 通常用红色导线。 　　其焊接处称为控制电流极（或称激励电极）， 要求焊接处接触电阻很小， 并呈纯电阻， 即欧姆接触（无PN结特性）。 在薄片的另两侧端面的中间以点的形式对称地焊有c、 d两根霍尔输出引线， 通常用绿色导线。 其焊接处称为霍尔电极， 要求欧姆接触， 且电极宽度与基片长度之比要小于0.1， 否则影响输出。 霍尔元件的壳体是用非导磁金属、 陶瓷或环氧树脂封装。 　　目前最常用的霍尔元件材料是由锗（Ge）、 硅（Si）、 锑化铟（InSb）、 砷化铟（InAs）以及不同比例的亚砷酸铟和磷酸铟组成的In（AsyP1-y）型固熔体（其中y表示百分比）等半导体材料。 其中N型锗容易加工制造， 其霍尔系数、 温度性能和线性度都较好。 N型硅的线性度最好， 其霍尔系数、 温度性能同N型锗， 但其电子迁移率比较低， 带负载能力较差， 通常不用作单个霍尔元件。 　　锑化铟对温度最敏感， 尤其在低温范围内温度系数大， 但在室温时其霍尔系数较大。 砷化铟的霍尔系数较小， 温度系数也较小， 输出特性线性度好。 In（AsyP1-y）型固熔体的热稳定性最好。 图6-1（c）为霍尔元件符号， 图6-1（d）是它封装后的外形。 图6-1 霍尔元件示意图 (a） 霍尔效应原理图; (b） 薄膜型霍尔元件结构示意图; (c） 图形符号; (d） 外形 6.1.2 霍尔式传感器的工作原理　　用霍尔元件做成的传感器称为霍尔传感器（Hall Transducer）。 　　由实验可知， 流入激励电流端的电流 I 越大、 作用在薄片上的磁场强度B越强， 霍尔电动势也就越高。 　　霍尔电动势EH可用下式表示：　　　　　　　　　EH=kHIB 　　 （6-1）式中， kH为霍尔元件的灵敏度。 　　若磁感应强度B不垂直于霍尔元件， 而是与其法线成某一角度θ时， 实际上作用于霍尔元件上的有效磁感应强度是其法线方向（与薄片垂直的方向）的分量， 即B cosθ， 这时的霍尔电动势为　　　　　　EH=kHIB cosθ 　　 （6-2） 从式（6-2）可知， 霍尔电动势与输入电流 I、 磁感应强度B成正比， 且当B的方向改变时， 霍尔电动势的方向也随之改变。 如果所施加的磁场为交变磁场， 则霍尔电动势为同频率的交变电动势。 6.2 霍尔集成电路6.2.1 霍尔集成电路的特点　　　随着微电子技术的发展, 目前霍尔器件多已集成化。 霍尔集成电路（又称霍尔IC）有许多优点， 如体积小、 灵敏度高、 输出幅度大、 温漂小、 对电源稳定性要求低等。 6.2.2 霍尔集成电路的类型　　后者是将霍尔元件、 稳压电路、 放大器、 施密特触发器、 OC门（集电极开路输出门）等电路做在同一个芯片上。 当外加磁场强度超过规定的工作点时， OC门由高阻态变为导通状态， 输出变为低电平； 当外加磁场强度低于释放点时， OC门重新变为高阻态， 输出高电平。 　　图6-2、 图6-3分别是线性型霍尔集成电路UNG3501和开关型霍尔集成电路UNG3020的外形及内部电路框图， 图6-4、 图6-5分别是其输出电压与磁场的关系曲线。 表6-1示出UNG3020（OC门）的输出状态与磁感应强度的关系。 图6-2 线性型霍尔集成电路内部电路框图 图6-3 开关型霍尔集成电路 　　（a） 外形尺寸；（b） 内部电路框图 图6-4 线性型霍尔集成电路输出特性 图6-5 开关型霍尔集成电路的史密特输出特性 　　　　6.3 霍尔式位移传感器　　霍尔传感器的应用非常广泛， 下面我们可以予以推导。 霍尔电动势是关