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太阳能电池简介太阳能发展历史1839年，法国物理学家A.E.贝克勒尔(A.E. Becqurel)意外发现：将两片金属浸入溶液，当受到光照时，会产生额外的伏打电动势，他把这种现象称为光生伏打效应，简称“光伏效应”(photovoltaic effect)。1883年，有人在半导体硒和金属接触处发现了固体光伏效应。以后人们把能够产生光生伏打效应的器件称为光伏器件，半导体PN结，在太阳光照射下效率最高，这类器件通常称为太阳能器件。(Solar cell)1954年，恰宾(Charbin)等人在美国贝尔电话实验室第一次做出了光电转化效率6%的实用单晶硅太阳能电池。太阳能电池的物理基础能带理论 导带导带导带0.1-2 eV禁带 3-6 eV价带价带价带绝缘体导体半导体本征半导体特征原子以共价键结合常温下仅有少数电子通过 热运动摆脱共价键 束缚变成自由电子。电子和空穴成对出现有能带宽度GaAs structure本征激发光辐照或热激发复合：自由电子运动过程中遇到空穴杂质半导体特征N型半导体特征---载流子为电子,杂质原子为施主原子P型半导体特征----载流子为空穴,杂质原子为受主原子PN结动态平衡多子：位于P区的空穴或者位于N区的电子少子：位于P区的电子或者位于N区的空穴在无外电场作用下，在内电场的作用下，位于P区的电子向N区漂移运动，位于N区的空穴向P区漂移运动。参与扩散运动的多子数目等于参与漂移运动的少子数目，从而达到一种动态平衡，形成PN结。P区N区太阳能电池工作原理1. 基本原理半导体的光敏特性：半导体受光辐照，载流子数量急剧增加，导电性增强。产生电子空穴对吸收部分发热耗散电子空穴对位于：耗尽区，N区和P区耗尽区：在内电场的作用：耗尽区内产生的电子将向N区运动，空穴向P区运动。耗尽区边界载流子浓度近似为0。P=n=0N区：光生空穴向PN结边界扩散，一旦到达PN结，立即被内电场牵引做漂移运动，越过耗尽区，进入P区，光生电子（多子）则留在N区。P区：光生电子（少子）向PN结边界扩散，一旦到达PN结，立即被内电池牵引做漂移运动，越过耗尽区，进入N区，光生空穴（多子）则留在P区最终形成与内电场相反的光生电场！N区P区光生伏打效应光生电场部分抵消PN结内电场，同时使得P区带正电，N区带负电，从而在N区和P区的薄层之间就产生了电动势！------------光生伏打效应开路电压Uoc：PN结两端开路后的电压，如：晶体硅大约为0.5-0.6 eV.短路电流Isc：将外电路短路，外电路中就会有和入射光能量成正比的光电流通过。此电流为短路电流光生伏打效应?NP开关断开：开路电压Uoc开关闭合：短路电流 Isc影响光电流的因素界面电子空穴数的数量越大，光电流越大;界面层吸收的光越多，界面层面积越大，光电流越大;太阳能电池的N区，耗尽区和P区均能产生光生载流子;各区的载流子必须在复合前越过耗尽区，才能对光电流有贡献。太阳能电池的光学性质太阳能电池的光学性质决定太阳能电池的极限效率！本征吸收：原子吸收一个光子后受到激发，使得一个共价电子变成了自由电子，同时在共价键断裂处留下一个空穴。?本征吸收的能带图导带电子能隙宽度(Eg)?空穴价带本征吸收条件：自由光子能量 大于 能隙 宽度(Eg)，光子才能够产生本征吸收。?单晶硅太阳能电池: 理论上限为27% 目前的最大值：24%左右 GaAs太阳能电池：理论上限为28.5% 目前最大值为：24.7%影响太阳能电池转换效率的一些因素：1). 光生电流的光学损失：a. 反射损失 b. 栅指电极的遮光损失 c. 透射损失2). 辐照效应：太阳能电池受高能离子的辐射，体内产生缺陷，形成一个复合中心。3). 材料的能带宽度：开路电压Uoc随能带宽度Eg的增大而增大，另一方面，短路电流密度Isc随Eg的增大而减小，因此期望在某一个确定的Eg下出现太阳能效率的峰值!一般而言Eg介于1.2-1.6 eV的材料做成的太阳能电池，可望达到最高效率。4). 温度：Uoc随温度升高急剧下降，填充因子下降，所以转换效率随温度增高而降低！地面应用的硅：一般温度在-40—70摄氏度之间空间应用的硅太阳能电池：-135—125摄氏度之间5). 掺杂浓度：参杂浓度越高，Uoc越高，但过高的参杂会引起带宽的的变小，少子寿命下降等高参杂效应。6). 表面复合速率：低的表面复合速率可以提高Isc。太阳能电池的分类介绍硅太阳能电池多元化合物薄膜太阳能电池有机化合物太阳能电池纳米晶太阳能电池聚合物多层修饰电极型太阳能电池硅系太阳能电池单晶硅: 硅的单晶体。具有基本完整的点阵结构的晶体。用高纯度的多晶硅在单晶炉内拉制而成。单晶硅实物图晶体硅的原胞结构制作流程电池片组件硅棒硅片多晶硅: 是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，