《功能薄膜材料》课件PPT第1章 绪论.ppt

微电机系统(MEMS)，纳电机系统(NEMS) 微电机系统(MEMS) 纳电机系统(NEMS) 380 MHz 薄膜加工： 作业：查阅一篇有关薄膜(thin film)的综述文献。 5.薄膜和基片的粘附性 范德瓦耳斯力： r为分子间距，a为分子的极化率， I为分子的离化能 1.2 薄膜的特性 静电力: s为界面上出现的电荷密度， e0为真空中的介电常数。 互扩散 考虑表面能?浸润 1.2 薄膜的特性 利用交替吸附生长多层膜 6.薄膜的内应力 晶格常数失配，热膨胀系数失配 压应力、张应力 本征应力: 由于薄膜中缺陷的存在 非本征应力：由于和薄膜的附着 应变能： 厚度d，弹性模量E，内应力s 可以估算膜厚 SiC/Si 1.2 薄膜的特性 ?应变硅 7.通常存在大量的缺陷 Chemical Vapor Deposition (CVD) Molecular beam epitaxy (MBE)， Metalorganic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) 溅射、蒸发、微波、热丝、sol-gel、电沉积 基板温度越低，点缺陷和空位密度越大 成核取向不一样 1.2 薄膜的特性 * 作图说明 * 有意见才有改进 单层石墨，可用于做sensor，微电子器件等 * 可以估计次数 * * * 蓝光LED的主要结构 * * 薄膜太阳能电池(1微米)与Si太阳能电池(100微米)的比较 * 台阶式能带填充 * 图示极化效应，效率降低、发光红移 * 量子限域效应和极化效应共同影响薄膜的发光特性 * 可用同一种材料获得不同的电导率 * 完全不同的薄膜材料形成异质结 * 光吸收*转换效率*接收效率 * External quantum efficiency for GaInP, GaInAs, and Ge subcells in MM and LM three-junction cells, and the space and terrestrial solar spectra. * 左上图:液晶电视原理图， * Ultraviolet LED,解释应用 * 左图,五十年代末，Feynman悬赏$1000制造1/64英寸（～0.4mm）大小的马达，William McLellan用镊子在显微镜下完成了该马达的制造。右图a，用硅制造的静电马达。右图b：德州仪器数字光学信息处理器的核心部分－微镜片阵列?已用于制造微型投影仪。 * 左图a：微静电计；左图b：微静电计的发展（Caltech）；右图：微加工技术的发展:(a) An early (and rather rough) doubly clamped beam carved from a silicon wafer. (b) A compound torsional resonator made from silicon-on-insulator, and (c) a clean example made from gallium arsenide that is used to measure minute forces at high frequencies. * (a) A series of parallel silicon beams fabricated by Harold Craighead and co-workers at Cornell University. Each beam resonates at a slightly different frequency. The highest frequency measured in an individual beam of this type is 380 MHz. (b) An ultrathin cantilever - width 5 μm and height 260 μm - developed by a collaboration between researchers at Stanford University and IBMs Almaden Research Center. The deflection of such a cantilever has been used to measure forces at the attonewton (10-18N) scale. (c) A device built at Ludwigs-Maximilians University that is used to shuttle individual electron charges between electrodes. * 2.新的效应