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第九章 半导体探测器 (2) 探测器和电子学噪声 探测器的噪声由P-N结反向电流及表面漏电流的涨落造成； 电子学噪声主要由第一级FET构成，包括：零电容噪声和噪声斜率。 噪声的表示方法：等效噪声电荷ENC，即放大器输出噪声电压的均方根值等效于放大器输入端的噪声电荷，以电子电荷为单位；由于噪声叠加在射线产生的信号上，使谱线进一步加宽，参照产生信号的射线的能量，用FWHM表示，其单位就是KeV。例如，ENC＝200电子对，由噪声引起的线宽为： 西安交通大学核科学与技术学院 2011.05 liu_shuhuan (3) 窗厚度的影响 式中 为单位窗厚度引起的能量损失。 得到总线宽为： 例如： 则： 西安交通大学核科学与技术学院 2011.05 liu_shuhuan 入射粒子通过探测器灵敏区之前的非耗尽层厚度称为窗厚。 入射带电粒子只有在灵敏区内损失的能量对输出脉冲有贡献，但在进入灵敏区前穿过一定厚度的窗也会损失一部分能量。窗厚可以采用测量单能重带电粒子在两个不同入射角入射时产生的脉冲幅度来确定。当入射角?=0°时（即垂直入射），在窗内损失能量为⊿E1。入射角?=45°时，窗内损失能量 西安交通大学核科学与技术学院 2011.05 liu_shuhuan 假设入射带电粒子在窗材料中射程 ： 则两种入射情况下，在灵敏区损失的能量差为 式中△E1是用能量损失表示的窗厚。 西安交通大学核科学与技术学院 2011.05 liu_shuhuan 对重带电粒子主要是电离损失，则可由射程公式求出窗厚。金硅面垒探测器的窗厚＝金层厚度＋硅基片未耗尽层（亦称死层）厚。 V0适当时可使d死很小。金层厚约（0.01～0.05）?m。所以窗比较薄，仅对低能重带电粒子的能量进行精确测量时才考虑窗厚的修正。 西安交通大学核科学与技术学院 2011.05 liu_shuhuan （4）空气和窗吸收的影响 入射带电粒子从放射源发出到进入探测器灵敏体积要经过空气层和入射窗并在其中损失一部分能量，造成 输出脉冲幅度减小，谱峰有个低能尾部，从而使分辨率变差。 测能谱时可以把放射源尽可能靠近探测器。且还可以抽真空（把探测器放在真空中）从而可忽略空气的吸收。 西安交通大学核科学与技术学院 2011.05 liu_shuhuan 对金硅面垒探测器，窗主要是金层厚度△ d ，入射粒子进入探测器灵敏区的入射角在 0° ?max ，带电粒子在金层中单位厚度的能量损失为 △E′，则入射带电粒子穿过金层△ d厚度时引起的谱线展宽为 西安交通大学核科学与技术学院 2011.05 liu_shuhuan 2） 分辨时间与时间分辨本领： 3） 能量线性很好，与入射粒子类型和能量基本无关 4） 辐照寿命 辐照寿命是半导体探测器的一个致命的弱点。半导体探测器随着使用时间的增加，造成载流子寿命变短，影响载流子的收集。例如，对5.5MeV的?粒子，当达到109cm-2时，分辨率开始变坏，达到1011cm-2时明显变坏。 西安交通大学核科学与技术学院 2011.05 liu_shuhuan §9.3 P-I-N型半导体探测器 一．工作原理 二．输出信号与主要性能 三． P-I-N型半导体探测器的应用 为什么要发展P-I-N型探测器？ 1MeV的?粒子在硅中的射程~2mm， 而P-N结型探测器灵敏体积的线度一般不超过1mm。 P-N结型探测器探测?和?的效率太低。 西安交通大学核科学与技术学院 2011.05 liu_shuhuan 带正电的锂离子与带负电的受主离子结合成中性的正负离子对。 在高电阻率的P型半导体材料表面掺入锂原子，制成P-N结。 一．工作原理 由于补偿作用，形成本征区。 构成P-I-N结构。 本征区I 电子空穴密度相等， N区和P区多数载流子密度远远大于少数载流子密度， 存在不等式： 多数载流子扩散，出现空间电荷。 空间电荷建立电场，阻止多数载流子进一步扩散。 锂离子在外加电场作用下向右漂移。 NLi较大处会引起电场变化，加速多余的锂离子向右漂移。 a b 锂离子漂移区域不存在空间电荷，为均匀电场分布。 西安交通大学核科学与技术学院 2011.05 liu_shuhuan 1、锂漂移探测器的输出信号 2、能量分辨率 3、线性 4、探测效率 绝对效率，本征效率 总效率， 峰效率 5、峰康比 6