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忆阻振荡器 摘要： 2008年5月1日在《自然》的首秀中，鉴于忆阻器的诸多应用潜力，例如超密度非易失电脑内存和神经突触，忆阻器已经吸引了全世界范围的广泛关注。惠普忆阻器是一种无源非线性双端电路元件，这种电路元件维持了电流与电压时域积分间的函数关系，即电荷与磁通。在本文中，通过用忆阻器替代蔡氏二极管，我们从蔡氏振荡器中得到一些非线性振荡器。 关键词：忆阻器；忆阻设备；忆阻系统；电荷；磁通；蔡氏振荡器；蔡氏二极管；学术；神经元；突触；Hodgkin-Huxley；神经膜模型。 1.忆阻器 2008年5月1日发行的《自然》中有一篇影响力巨大的文章【Struckov et al.，2008】，此文提到，惠普公司R.Stanley Williams领导的一个小组宣布构建出一种纳米级固态双端器件，此器件被称为忆阻，“记忆”和“电阻”的缩写，【Chua，1971;ChuaKang,1976】中曾假设过此器件的存在性。由于在下一代电脑中和强大的仿人脑神经系统电脑中的潜在应用【TourHe,2008;Johnson,2008】，这个无源电子器件前所未有的吸引了全世界的目光。一种当前的应用提供了非易失存储的低成本技术，此种技术可使未来的电脑瞬间开机，而不需要目前所有个人电脑所要求的开机时间。 图1所示惠普忆阻器是一种由设备路端电压v和终端电流i之间的非线性本构关系所描述的无源双端电子器件 两个线性函数M(q)和W()，分别叫做memristance和memductance，其定义如下： 并分别描述了标量函数和的斜率，称为忆阻本构关系。 当且仅当小信号memristanceM(q)（小信号memductance）是非负时，例如： （参见【Chua,1971】），由可微特性曲线描述的忆阻器才是无源的。 本文中，我们假设忆阻器是由图2中的“单调递增”和“分段线性”的非线性特征来描述的，即： 其中a,b,c,d0.因此，图2中memristance M(q)和memductance分别如下定义： 因为上述忆阻器所消耗的瞬时功率由下式给出： 从到t流入忆阻器的能量满足 所有。因此，图2所示忆阻本构关系是无源的。 考虑图3中由负电阻（或负电导）和无源忆阻器组成的二端电路。如果二端电路有流量控制忆阻器，我们得到曲线 我们假设是一个连续函数，满足q(0)=0和G0。这样，二端电路小信号memductance由下式给出， 如果c-G0或者d-G0,那么瞬时功率不满足 对于所有t0。在这种情况下，存在和，对于所有。因此，图3中二端电路可以被设计称为有源器件，并可以被视为“有源忆阻器”。我们要说明图4中的两种特性曲线。从电荷控制忆阻器中我们可以得到类似的特性曲线。本文中，我们使用有源或者无源忆阻器设计几个非线性振荡器。 2.电路法则 在这个部分，我们回顾一下一些电路基本法则。首先回忆一下电荷守恒和磁通量守恒【Chua,1969】: 电荷与磁通量既不能凭空产生也不能消失。电荷与磁通的总量总是守恒的。 我们可以重述此原则如下： 通过电容的电荷q和电压不能瞬间改变。 电感中的磁通量和电流不能瞬间改变。 将此原理应用于电路中，我们可以得到两个基本回路变量（电荷与磁通量）之间的关系。然而，我们通常使用另外的基本回路变量，即电压和电流，这是通过如下基尔霍夫定律得到的【Chua,1969】： 所有流入节点的电流的代数和为0： 任何闭合回路的支路电压的代数和为0： 他们是由电路中电荷守恒和磁通量守恒产生的一对定理。如果我们将基尔霍夫定律应用于忆阻电路，我们需要4个基本电路变量，即电压，电流，电荷和磁通量，来描述其动态特性，因为忆阻器电流i和电压v的关系由方程(1)定义。 如果我们结合关于时间t的基尔霍夫定律，我们可以得到电荷守恒和磁通量守恒的关系： 和分别由下定义： 四个基本电路器件的电压v与电流i的关系如下给出： 电容： 电感： 电阻：v=Ri （24） 忆阻器： 通过这些基尔霍夫定律，我们可以描述电路的动态特性。 结合关于t的方程(22)-(25)，我们得到如下方程： 电容： 电感： 电阻： 忆阻器： 其中。他们提供了方程(16)-(17)和方程(18)-(19)之间的关系 3.基于忆阻的典型振荡器 图5中的蔡氏电路是最简单的具有混沌行为的电子线路【Madan,1993】。众所周知，图6中的典型蔡氏振荡器【ChuaLin,1990】也具有混沌吸引子。这部分，我们用拥有“单调递增”和“分段线性”的非线性特征的忆阻器替换经典蔡氏振荡器中的蔡氏二极管，从而设计出非线性振荡器。 3.1.四阶典型忆阻振荡器 考虑图6中的典型蔡氏振荡器。如果我们用磁通量控制的忆阻器来替代图6中蔡氏二极管，我们会得到图7所示电路。通过电荷控制忆