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2018-03-13 发布于天津
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CN107316744-CN201710570663-一种片式多层金电极芯片电容器及其制备方法

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 107316744 A (43)申请公布日 2017.11.03 (21)申请号 201710570663.0 C04B 35/468(2006.01) C03C 3/066(2006.01) (22)申请日 2017.07.13 C04B 41/88(2006.01) (71)申请人中国振华集团云科电子有限公司地址 550000 贵州省贵阳市新添大道北段 268号附1号 (72)发明人何创创　庞锦标　班秀峰　刘婷　居奎　韩玉成　 (74)专利代理机构北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 代理人钱学宇 (51)Int.Cl. H01G 4/30(2006.01) H01G 4/12(2006.01) H01G 4/008(2006.01) H01G 4/232(2006.01) 权利要求书1页说明书8页附图4页 (54)发明名称一种片式多层金电极芯片电容器及其制备方法 (57)摘要本发明提供了一种片式多层金电极芯片电容器及其制备方法，涉及一种电容器技术领域。此片式多层金电极芯片电容器，利用片式多层金电极芯片电容器的制备方法制备而得到：用多种原料进行制备得到陶瓷介质瓷粉，再将陶瓷介质瓷粉制成生瓷膜片；在生瓷膜片上制作以金为材质的内电极；采用薄膜溅射工艺制备得到端电极。此片式多层金电极芯片电容器等效串联电阻显著低，避免了Pd/Ag电极在高温高湿的工作环境下的银迁移以及Ni/Cu电极的高温氧化问题，极大提升产品的稳定性，解决了端电极与内电极 A 之间的相互扩散降低性能指标的问题，进一步提 4 高了产品的可靠性，且适合金丝或金带焊接的微 4 7 6 组装工艺要求，可缩小安装空间，易于实现规模 1 3 7 化生产。 0 1 N C CN 107316744 A 权　利　要　求　书 1/1页 1.一种片式多层金电极芯片电容器的制备方法，其特征在于，其包括：用多种原料进行制备得到陶瓷介质瓷粉，再将所述陶瓷介质瓷粉制成生瓷膜片；在所述生瓷膜片上制作以金为材质的内电极；采用薄膜溅射工艺制备得到端电极；其中，所述多种原料按照重量份数计，包括：90～110份BaTiO 、0.3～2份NbO 、0.3～ 3 2 5 1.5份NdO 、0.5～1份CaCO 、0.1～0.5份SiO 、0.1～0.5份MnCO 、0.1～0.5份ZnO、0.3～2份 2 3 3 2 3 H BO 以及0.5～4份ZnO-BO -SiO 玻璃。 2 3 2 3 2 2.根据权利要求1所述的片式多层金电极芯片电容器的制备方法，其特征在于，所述 ZnO-B O -SiO 玻璃是通过将40～70wt％ZnO、20～40wt％BO 以及5～20wt％SiO在1100～ 2 3 2