CN107331632-CN201710581730-一种多晶硅侧墙沉积针孔缺陷的检测方法.pdfVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 107331632 A (43)申请公布日 2017.11.07 (21)申请号 201710581730.9 (22)申请日 2017.07.17 (71)申请人 上海华力微电子有限公司 地址 201203 上海市浦东新区张江开发区 高斯路568号 (72)发明人 范荣伟　 (74)专利代理机构 上海思微知识产权代理事务 所(普通合伙) 31237 代理人 智云 (51)Int.Cl. H01L 21/66(2006.01) 权利要求书1页 说明书3页 附图9页 (54)发明名称 一种多晶硅侧墙沉积针孔缺陷的检测方法 (57)摘要 本发明提出一种多晶硅侧墙沉积针孔缺陷 的检测方法，包括下列步骤：将晶圆正常流片到 氧化膜原子层沉积工艺前一步骤；在所述晶圆上 沉积介电层；在上述结构上进行氧化膜原子层沉 积工艺，形成氧化膜；以所述氧化膜为阻挡层，对 晶圆上的介电层进行刻蚀工艺；进行缺陷检测， 检测介电层损伤情况。本发明提出的多晶硅侧墙 沉积针孔缺陷的检测方法，通过建立缺陷检测流 程并开发检测方法，建立针对此缺陷的在线指 标，从而为良率提升和产品研发做出贡献。 A 2 3 6 1 3 3 7 0 1 N C CN 107331632 A 权　利　要　求　书 1/1页 1.一种多晶硅侧墙沉积针孔缺陷的检测方法，其特征在于，包括下列步骤： 将晶圆正常流片到氧化膜原子层沉积工艺前一步骤； 在所述晶圆上沉积介电层； 在上述结构上进行氧化膜原子层沉积工艺，形成氧化膜； 以所述氧化膜为阻挡层，对晶圆上的介电层进行刻蚀工艺； 进行缺陷检测，检测介电层损伤情况。 2.根据权利要求1所述的多晶硅侧墙沉积针孔缺陷的检测方法，其特征在于，该方法还 包括在晶圆上的介电层进行刻蚀工艺步骤完成后，对晶圆有源区多晶硅进行无阻挡刻蚀工 艺。 3.根据权利要求2所述的多晶硅侧墙沉积针孔缺陷的检测方法，其特征在于，所述缺陷 检测步骤还包括检测有源区多晶硅损伤情况。 4.根据权利要求1所述的多晶硅侧墙沉积针孔缺陷的检测方法，其特征在于，所述介电 层包括氧化膜层、氮化硅层或者两者的组合层。 5.根据权利要求1所述的多晶硅侧墙沉积针孔缺陷的检测方法，其特征在于，所述对介 电层进行刻蚀工艺包括干法刻蚀或者湿法刻蚀。 6.根据权利要求1所述的多晶硅侧墙沉积针孔缺陷的检测方法，其特征在于，所述对有 源区/多晶硅进行刻蚀工艺包括干法刻蚀或者湿法刻蚀。 7.根据权利要求1所述的多晶硅侧墙沉积针孔缺陷的检测方法，其特征在于，所述缺陷 检测采用光学检测方法或电子束扫描方法进行。 2 2 CN 107331632 A 说　明　书 1/3页 一种多晶硅侧墙沉积针孔缺陷的检测方法 技术领域 [0001] 本发明涉及半导体集成电路制造领域，且特别涉及一种多晶硅侧墙沉积针孔缺陷 的检测方法。 背景技术 [0002] 随着集成电路工艺的发展，半导体工艺器件的尺寸不断微缩以及性能的提升，越 来越需要应用原子层沉积工艺，原子层沉积分为扩散沉积与化学气相沉积等，而化学气相 沉积过程中容易发生针孔缺陷问