CN107102013-CN201710175026-一种半导体器件特性的测试分析方法.pdfVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 107102013 A (43)申请公布日 2017.08.29 (21)申请号 201710175026.3 G01N 21/95(2006.01) G01B 15/00(2006.01) (22)申请日 2017.03.22 G01N 17/00(2006.01) (71)申请人 合肥仁德电子科技有限公司 地址 230000 安徽省合肥市肥西县上派镇 巢湖西路 (72)发明人 李阳　 (74)专利代理机构 合肥道正企智知识产权代理 有限公司 34130 代理人 张浩 (51)Int.Cl. G01N 23/04(2006.01) G01N 3/56(2006.01) G01N 9/36(2006.01) G01N 21/21(2006.01) G01N 21/88(2006.01) 权利要求书2页 说明书4页 (54)发明名称 一种半导体器件特性的测试分析方法 (57)摘要 本发明公开了一种半导体器件特性的测试 分析方法，包括以下方法：X射线无损探伤分析， 物理特性外部分析，耐腐蚀特性测试，声学扫描 显微镜测试，先行偏振光检测方法。本发明所提 供的一种半导体器件特性的测试分析方法，用严 谨科学的试验方法和判定依据，对于半导体器件 样品的品质给出了最有效的判定依据，通过一系 列的方法逐次排查半导体器件样品的芯片尺寸、 引线键合定位、BGA封装焊球、BGA封装盖帽等指 标，测试方法科学，过程中不会产生有害物质。 A 3 1 0 2 0 1 7 0 1 N C CN 107102013 A 权　利　要　求　书 1/2页 1.一种半导体器件特性的测试分析方法，其特征在于，包括以下方法： X射线无损探伤分析，通过对半导体器件样品的内部工艺结构简单分析，在半导体器件 样品的正上方方向和侧视方向上分别进行X射线的照射，然后分别得到半导体器件样品的 正上方方向和侧视方向上的X射线照片，在这事先准备了半导体器件标准品的内部工艺结 构的X射线照片进行对比观察，如果通过对比发现半导体器件的引线框架形貌、半导体器件 中的芯片位置、半导体器件中的芯片尺寸、半导体器件中的引线键合定位、半导体器件中的 键合丝数量中的任一项不一致或者出现键合丝严重破损断丝现象，则判定为不合格； 物理特性外部分析，对半导体器件样品进行外部物理特性分析，其中所述外部物理特 性包括半导体器件的引线、半导体器件的引线焊区、半导体器件的封装壳体、半导体器件的 封装盖帽、半导体器件的BGA封装焊球、半导体器件的BGA封装基板，如果其中任意一项出现 缺陷现象，则判定为不合格； 耐腐蚀特性测试，将半导体器件样品在室温条件下放入测试有机溶剂中，液体表面确 保超过半导体器件样品上层，浸泡时间为10 20min，然后用镊子或者夹子将半导体器件样~ 品从有机溶剂中捞出，在室温条件下晾干，晾干后使用特定刷子以0.5 1N的压力在半导体~ 器件样品上重复刷5 10次，观察半导体器件样品表面是否出现腐蚀、掉漆或断线现象。~ 2.根据权利要求1所述的一种半导体器件特性的测试分析方法，其特征在于，所述半导 体器件特性的测试分析方法还包括声学扫描显微镜测试，利用声学扫描显微镜对