CN107025321-CN201611135804-空腔型薄膜体声波谐振器滤波器的设计及制备方法.pdfVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 107025321 A (43)申请公布日 2017.08.08 (21)申请号 201611135804.8 (22)申请日 2016.12.12 (71)申请人 佛山市艾佛光通科技有限公司 地址 528226 广东省佛山市南海区狮山镇 罗村朗沙广东新光源产业基地内A区7 座第三层303单元 (72)发明人 李国强　李洁　刘国荣　 (74)专利代理机构 北京轻创知识产权代理有限 公司 11212 代理人 谈杰 (51)Int.Cl. G06F 17/50(2006.01) 权利要求书1页 说明书5页 附图4页 (54)发明名称 空腔型薄膜体声波谐振器滤波器的设计及 制备方法 (57)摘要 本发明公开了一种空腔型薄膜体声波谐振 器滤波器的设计与制备方法。该方法包括应用 ADS软件仿真基于Mason模型的FBAR梯形滤波器， 得到传输性能同时满足带内插损和带外抑制指 标要求的各膜层物理参数；在制备衬底上生长对 应厚度的压电层、电极层的复合膜层，另取一支 撑衬底形成空腔，将复合膜层与支撑衬底键合， 剥离原制备衬底，生长不同厚度的上电极层，形 成电极/压电层/电极/空腔的复合结构。采用本 发明设计和制备得到的FBAR滤波器上电极膜层 参数控制精确，得到的滤波器性能优异；避免了 A 传统工艺中引入牺牲层和采用化学机械研磨方 1 法对谐振结构可能造成的破坏，减小了器件的损 2 3 5 耗。 2 0 7 0 1 N C CN 107025321 A 权　利　要　求　书 1/1页 1.一种空腔型薄膜体声波谐振器滤波器的设计及制备方法，其特征在于，包括以下步 骤： （1）滤波器结构设计，根据工作频率设定压电层厚度、电极层厚度和谐振面积； （2）性能仿真与优化，得到各个FBAR谐振器优化的上电极厚度值； （3）设计FBAR谐振器排布版图：谐振器的间距、位置和信号端接地端形成回路； （4）在制备衬底上生长压电薄膜，膜层厚度与设计值一致； （5）在压电薄膜上继续沉积电极层，图形化，待用； （6）另取一支撑衬底，刻蚀得到空腔结构，待用； （7）将支撑衬底面与电极面通过Bonding技术固定在一起，剥离原有制备衬底； （8）按照优化值多步光刻、沉积形成上电极层，满足单一谐振器不同的电极厚度值和工 作频率，最终形成电极/压电层/电极/空腔的复合膜层结构。 2.根据权利要求1所述的空腔型薄膜体声波谐振器滤波器的设计及制备方法，其特征 在于，所述FBAR谐振器排布版图包括上下电极的分布，信号由两对输入端输入，上下电极分 别与一对信号段和接地端连通，构成体向传播的射频信号回路；梯形FBAR滤波器的排布为 信号端1，一组或者多组串联臂-并联臂，接地/信号端2。 3.根据权利要求1所述的空腔型薄膜体声波谐振器滤波器的设计及制备方法，其特征 在于，所述沉积电极层的方法包括电子束蒸发镀膜或磁控溅射镀膜，电极材料选自：Al，Mo， W，Pt，Ti，Ag，Cu中的至少一种。 4.根据权利要求1所述的空腔型薄膜体声波谐振器滤波器的设计及制备方法，其特征 在于，所述刻蚀支撑衬底获得空腔，包括干法刻蚀或湿法腐蚀支撑衬底硅得到空腔。 5.根据权利要求1所述的空腔型薄膜体声波谐振器滤波器的设计及制备方法，其特征 在于，所述多步光刻、沉积形成上电极层包括光刻形成上电极掩膜，电子束蒸发镀膜或磁控 溅射镀膜或化学电镀沉积一层上电极材料，材料选自：A