CN106998466-CN201710205736-辐照后互补金属氧化物半导体有源像素传感器满阱的测试方法.pdfVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 106998466 A (43)申请公布日 2017.08.01 (21)申请号 201710205736.6 (22)申请日 2017.03.31 (71)申请人 中国科学院新疆理化技术研究所 地址 830011 新疆维吾尔自治区乌鲁木齐 市北京南路40号附1号 (72)发明人 郭旗　李豫东　冯婕　文林　 马林东　 (74)专利代理机构 乌鲁木齐中科新兴专利事务 所 65106 代理人 张莉 (51)Int.Cl. H04N 17/00(2006.01) G01R 31/26(2014.01) 权利要求书2页 说明书9页 附图2页 (54)发明名称 辐照后互补金属氧化物半导体有源像素传 感器满阱的测试方法 (57)摘要 本发明涉及一种辐照后互补金属氧化物半 导体有源像素传感器满阱的测试方法，该方法涉 及装置是由静电试验平台、积分球光源、三维样 品调整台、样品测试板、互补金属氧化物半导体 有源像素传感器样品、直流电源和计算机组成， 当样品辐照前的饱和输出小于4000DN时，通过计 算样品辐照后所有像素位置的亮场平均灰度值 与暗场平均灰度值的差值，绘制光响应曲线，光 响应曲线在达到饱和时的像素输出灰度值即为 饱和输出，将该值除以转换增益即求解出辐照后 样品的满阱。当样品辐照前的饱和输出大于等于 A 4000DN时，将样品中可编程增益放大器的增益调 6 到小于1后才能求解出正确的满阱。本发明操作 6 4 8 方便简单，可以直观的看出辐照后器件动态范 9 9 6 围、信噪比、灵敏度等性能指标的变化。 0 1 N C CN 106998466 A 权　利　要　求　书 1/2页 1.一种辐照后互补金属氧化物半导体有源像素传感器满阱的测试方法，其特征在于， 该方法中涉及装置是由静电试验平台、积分球光源、三维样品调整台、样品测试板、互补金 属氧化物半导体有源像素传感器样品、直流电源和计算机组成，在静电试验平台（1）上分别 设有积分球光源（2）和三维样品调整台（3），在三维样品调整台（3）上固定有样品测试板 （4），在样品测试板（4）上放置互补金属氧化物半导体有源像素传感器样品（5），样品测试板 （4）与直流电源（6）连接，静电试验平台（1）与计算机（7）连接，所述该方法中涉及辐射前互 补金属氧化物半导体有源像素传感器样品（5）的饱和输出小于4000DN，或饱和输出大于等 于4000DN的测试； 所述辐射前互补金属氧化物半导体有源像素传感器样品（5）的饱和输出小于4000DN， 具体操作按下列步骤进行： a、当辐射前互补金属氧化物半导体有源像素传感器样品（5）的饱和输出为辐照前暗场 平均灰度值的20倍，并且该饱和输出小于4000DN，将辐照后的互补金属氧化物半导体有源 像素传感器样品（5）固定在样品测试板（4）上，再将样品测试板（4）分别与直流电源（6）和计 算机（7）相连，开始进行暗场测试，暗场测试时需关闭积分球光源（2），并同时关闭测试室中 其他照明光源，并用不透光的黑盒罩盖住互补金属氧化物半导体有源像素传感器样品（5）； b、暗场条件下，在计算机测试软件上设置积分时间范围并在此范围内等间隔取15个 点，每个积分时间下由图像传感器采20帧2048 2040的灰度图像，通过测试软件获得20组 2048 2040的灰度值矩阵，计算辐照后所有像素位置的暗场平均灰度值； c、亮场条件下：打开积分球光源（2），并保持测试室中其他照明光源关闭，在步骤b设置