CN106957172-CN201710126021-一种高介高频电子陶瓷介质材料及制备方法.pdfVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 106957172 A (43)申请公布日 2017.07.18 (21)申请号 201710126021.1 (22)申请日 2017.03.05 (71)申请人 临沂金成电子有限公司 地址 276300 山东省临沂市沂南县张庄镇 驻地临沂金成电子有限公司 (72)发明人 赵华　 (51)Int.Cl. C04B 35/46(2006.01) C04B 35/622(2006.01) C04B 35/64(2006.01) 权利要求书1页 说明书3页 (54)发明名称 一种高介高频电子陶瓷介质材料及制备方 法 (57)摘要 本发明公开了一种高介高频电子陶瓷介质 材料及制备方法，该组别电子陶瓷介质材料具有 特定的介电常数，适合于制作大容量高频陶瓷电 容器、大功率陶瓷电容器、超高压陶瓷电容器等， 主要由二氧化钛、钛酸锶、氧化锆、氧化锌、碳酸 锂、粘土、氧化钐、五氧化二钒按照一定比例，采 用科学的生产工艺制成。通过检测和用户使用证 明，其介质常数、介质损耗、抗电强度、绝缘电阻 等性能指标均明显优于现有技术。 A 2 7 1 7 5 9 6 0 1 N C CN 106957172 A 权　利　要　求　书 1/1页 1.一种高介高频电子陶瓷介质材料，其特征在于该高介高频电子陶瓷介质材料由以下 材料制成：二氧化钛（TiO）80～90%，钛酸锶(SrTiO) 4～10%，氧化锆(ZrO) 2～8%，氧化锌 2 3 2 (ZnO) 0.2～1%，碳酸锂(LiCO)0.2～1%，粘土0.2～1%，氧化钐(Sm O) 0.1～0.6%，五氧化 2 3 2 3 二钒(VO) 0.1～0.6%。 2 5 2.如权利要求1所述的一种高介高频电子陶瓷介质材料，其特征在于该高介高频电子 陶瓷介质材料由以下材料制成：二氧化钛（TiO）85%，钛酸锶(SrTiO)  7%，氧化锆(ZrO )  2 3 2 5%，氧化锌(ZnO) 0.6%，碳酸锂(Li CO ) 0.6%，粘0.6%，氧化钐(Sm O )0.3%，五氧化二钒 2 3 2 3 (VO) 03%。 2 5 3.一种高介高频电子陶瓷介质材料的制备方法，其特征在于该发明原材料购入后，经 过检验合格后进行二氧化钛（TiO）、钛酸锶(SrTiO)、氧化锆(ZrO)基料的配料，经过球磨、 2 3 2 压滤、干燥、煅烧、粉碎、除铁等工艺，得到基料待用；然后即可进行成品料配料，再经过球 磨、搅拌磨、混料、喷雾造粒、除铁、混料即得成品料，检验合格后包装入库。 4.根据权利要求3所述的一种高介高频电子陶瓷介质材料的制备方法，其特征在于TiO2 基瓷料通过SrTiO置换作用，将TiO 的居里温度移至10℃附近。