硅超大规模集成电路工艺技术.doc

光学与电子信息 学院集成电路工程领域、软件工程领域学位硕士研究生课程简介 课程名称：硅超大规模集成电路工艺技术 课程代码：18.558 课程类型： █ 专业课程 □其它： 考核： 考试 教学方式：讲授 适用：集成电路工程、软件工程 开课学期： 春季 总学时：32 学分：2 先修课程要求：半导体物理/固体物理 半导体器件 课程组教师姓名 职 称 专 业 年 龄 学术方向 周文利 教授 微电子学与固体电子学 45 半导体芯片设计与工艺 陈实 副教授 微电子学与固体电子学 46 薄膜传感器与智能系统 课程负责教师教育经历及学术成就简介： 教育经历： 1986年9月至1990年7月，华中工学院检测技术与仪器专业，本科生 1992年9月至1995年7月，华中理工大学半导体器件与微电子学专业，硕士研究生 2000年10月至2004年1月，香港中文大学自动化与计算机辅助工程专业，博士研究生 2004年3月至2005年9月，香港中文大学博士后 学术成就： 主要从事纳米材料、新型微纳电子器件和半导体芯片设计与工艺等领域的研究工作。近几年来先后主持参与承担了十多项国家自然科学基金、国家863计划、湖北省自然科学基金、科技攻关等科研项目。具有较高的学术水平和丰富的科研工作经验。在国内外期刊和学术会议上发表和与人合作发表论文逾70篇；申请专利和集成电路布图设计专有权20余项。 担任全国半导体材料与设备标准化技术委员会委员。 课程教学目标： 本课程以学习硅超大规模集成电路芯片生产制造的实际工艺技术为主。学生将重点掌握各项工艺技术的科学原理、工艺模型及测量方法，并了解各项工艺技术与工艺模型的未来发展趋势，从而具备进行微电子器件和集成电路工艺设计的能力。 课程大纲：（章节目录） 第一章 绪论 第二章 晶体生长、晶圆片制造与硅原片的基本特性 2.1 晶体生长方法与设备 2.2 晶体结构与缺陷 硅中的氧 硅中的碳 2.3 测量方法 第三章 半导体制造 3.1 超净室 3.2 晶圆片清洗 3.3 吸杂处理 第四章 光刻 4.1 曝光系统 光刻胶 4.3 先进光刻技术 第五章 热氧化与Si-SiO2界面 5.1 氧化动力学 5.2 Si-SiO2界面 第六章 扩散与离子注入 6.1 扩散 6.2 离子注入 第七章 薄膜淀积 7.1 物理气相淀积 7.2 化学气相淀积 第八章 刻蚀 8.1 湿法腐蚀 8.2 等离子刻蚀 8.3 反应离子刻蚀 第九章 后端工艺 9.1 平坦化 9.2 互联 第十章 工艺集成—现代CMOS工艺 教材： 《硅超大规模集成电路工艺技术：理论、实践、与模型》【美】普卢默 等著，严利人 等译 （电子工业出版社，第一版） 主要参考书： 《微电子制造科学原理与工程技术》（电子工业出版社，第二版）【美】Stephen A. Campbell著，曾莹，严利人，王纪民等译 《硅集成电路工艺基础》 关旭东编著, 北京大学出版社, 2004 《微加工导论》 陈迪等译, 电子工业出版社, 2006《超大规模集成电路工艺原理》——硅和砷化镓 S.K甘地著 章熙康等译《集成电路工艺基础》 王阳元等著 ? 考核方式： 开卷考试或报告占70%，平时作业和考勤占30%。 ． 课程名称：Silicon VLSI Process Technology 课程代码：18.558 课程类型：█ Major Basics 考核方式： Exam 教学方式：Lecturing