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仪器设备与试验步骤
第三章 儀器設備與實驗步驟
一、儀器設備
3.1濺鍍系統介紹 [1-4]
3.1.1 濺鍍原理
濺鍍系統架構圖如圖 3-1所示,固體表面受到帶有高能量的粒子
(受電埸加速的正離子的衝擊,固體表面的原子、分子等從帶有高能)
量粒子取得運動能量,由固體表面被擊出,這種現象稱濺鍍。
磁控濺鍍系統基本上是在高真空環境中充入工作氣體,其中,
Ar氣體最被常採用於 sputtering的原因為:Ar容易取得且與物質不起反
應,其Sputtering yield (濺鍍率,S)值高。藉著兩個相對應的金屬板(陽
極板和陰極板) ,此氣體由高電壓放電產生電漿(plasma) ,電漿中的正
離子被陰極板的負電壓吸引加速,具有高能量後,轟擊陰極靶材表
面,將離子動量轉移給靶材原子,靶材原子獲得動量後逸出靶材表
面,附著於基板上;即是將直流電輸入真空系統中,進行金屬濺鍍工
作。,另外,使用磁控濺鍍系統的先決條件,就是兩個電極板的材料
必須是導體才行,以避免帶電荷粒子在電極板表面上累積,這會使兩
個電極板的迴路相當於一個荷電的電容。
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由於濺射是屬於動量之轉移,其蒸鍍速率與靶材材料之熔點無
關,故鎢與鋁之濺射速率並無多大差別。在濺鍍前如將電極極性反
接,則基板先受離子轟擊可清除表面雜質。濺射法尚有下述之優點,
例如 真空蒸鍍困難或不易蒸鍍的低蒸氣壓金屬元素及化合物都可適
用,或用較大之靶可得均勻之薄膜厚度分佈;濺鍍之原子俱相當大之
動量可深植入基板,而得較佳之附著力;基板承座上可加負壓 (對真
空罩殼而言) ,以排除電子之撞擊,並吸引荷電之原子而得較佳之附
著力。但濺射法之缺點為蒸鍍速率甚慢 ,而陰極放出之二次電子,會
衝擊到薄膜或基材,以致薄膜溫度不易控制,如圖 3-所示。2 如果在
陰極靶附近加磁場,如圖3-所示,電子運動軌跡呈螺旋狀,增加與3
氣體碰撞機會,產生較多離子數而增快濺射速率,此稱為磁控
(Magnetron)濺鍍法。
實際做法是在陰極靶材背面放強力磁鐵,如圖 3-所示,因此在4
靶材 表面附近會有磁場產生,使得電子運動軌跡呈現螺旋狀,增加與
氣體碰撞機會,產生較多離子數目而增快濺鍍速率。而本實驗室之磁
控濺鍍系統外觀圖,如圖3-所示。5
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圖 3-1磁控濺鍍機裝置圖
圖 3-2 入射離子與固體表面之交互作用
圖 3-3電場與磁場存在時在靶材附近的電子螺旋運動
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圖 3-4磁控濺鍍原理
圖 3-5 射頻磁控濺鍍系統
3.2 蒸鍍法製作奈米粉體[5]
我們實驗中使用的奈米粉體是在氣相中以熱電阻加熱法製造。利
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用可承受高溫的鎢舟承載金屬材料,通過直流電加熱金屬材料至熔點
以上,使金屬材料蒸發然後在腔壁的收集板上凝結成一顆顆微小的粉
體。首先,腔內需先抽至真空狀態,再導入惰性氣體與金屬蒸氣碰撞,
蒸氣原子在移動至腔壁的途中因與惰性氣體碰撞而損失動能並降低
其溫度,因無足夠的能量與其它金屬顆粒鍵結形成膜,而在腔壁上凝
結形成粉體。而金屬奈米粉體尺寸的影響變因有下列幾個 :
1. 溫度的影響:蒸發溫度較高時,它提供一個密度高的金屬蒸氣
流,使得金屬原子間有更多的機會碰撞,而形成較大的粒子。
2. 氣體的種類:在相同壓力下,鈍氣的分子量越大;則金屬蒸氣
碰撞損失的能量也就越大。因此鈍氣的分子量越大,金屬蒸氣
的凝結會發生在較接近蒸氣源;而當凝結發生在較高的金屬蒸
氣密度時,所得之金屬奈米顆粒會較大。因此在相同壓力下,
氬氣中產生的粒子會比在氦氣中的大。
3. 壓力的影響:當氣體壓力很高時,金屬蒸發原子的冷卻率及和
惰性氣體碰撞的頻率增加,因此成核凝結會發生在靠近蒸發源
處,而使凝結核有足夠的時間,在到達腔壁前長大。而當氣體
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