软件仿真.docxVIP

首先声明，TCAD对于本人来说是副业，前几天小伙伴找我帮忙玩一下ESD，由于之前有些TCAD的经验就试着玩了一下，本人对ESD里理解还是很肤浅的，望各路大神指教。关于ESD仿真，见过有些文章用medici的，silvaco还有例子。之前也用过medici做过SEL，但是用起来都不如sentaurus顺手。sentaurus是个入门时间比较长的东西，但是掌握了那些软件的相互关系，再改几个例子玩玩就能上手了，swb神器不解释首先是器件建模，能拿到foundry厂recipe然后做sprocess大神可以高冷的嘲笑一下我等摸黑前进的苦逼了。我也曾经试过用sprocess跑过，但是实在是搞不定，感觉hold不住最后的mesh。根据我的实践，有两种自定义的方法：第一种是process emulator，不知道的去sde手册里搜，一个很实用的工具，可以读版图，根据各层做掺杂，但是没有物理过程，相当于一个“伪”工艺仿真。好处就是根据版图做三维结构很方便。还可以根据版图做refinement，不过这一块我还没有玩过第二个就是写sde的command file了。很多同志喜欢用sde手动画结构，我之前也手动画过，但是手动画的话在之后校准或者调参数会带来一些麻烦。我自己喜欢写好command file之后直接在sde里面mesh好，觉得做完结构再加一个snmesh来mesh还是太啰嗦了。关于mesh，根据我的仿真，加一个MaxTransDiff的refinement function，multibox一定要加一些。我见过暴力的直接整个结构按0.001来mesh，简直就是找死。之前我是小白的时候也试过把结深附近的全做成一个尺寸的mesh，作死不解释。还有就是定义结构的时候适当定义一些中间变量，会方便很多。顺便吐槽一下sde里面，做运算居然是(define A (+ B D) ) 这种丧心病狂的格式。最后要注意heatsink要做，而且衬底不能太薄以至于和真实的热血条件相差太大，几um就行。最关键的就是sdevice了，江湖盛传用continuation才能仿出snapback，不过经本人的实践，continuation仿出来的结果和TLP做出来的差别比较大，用来定性分析一下还不错，我记得我仿的时候居然做出了9000K的温度，当时都吓出汗了。从来没试过加电压，估计很不容易收敛吧。我一般都是加一个TLP电流（比如在GGNMOS的drain加一个上升时间10ns，20mA，衰减时间140ns的电流）。这个方法结果是可以仿出来的，但是设置不好很容易不收敛。有关细节实在说太多了。sentaurus在这些地方很鸡贼，高端的全部都放在solvenet，想看例子就得交钱，没钱去扣手册估计得整个小半年才搞的清楚。在这里再膜拜一下有solvenet id的大神。具体来说解法用ILS就行了，有关热的和击穿的能加的都加上。贴个某本书里面的脚本吧* Electrothermal??Simulation??of a ggNFET? ?(0.13 um??CMOS)* under??TL??Pulse??conditions:? ?duration? ?150??ns? ???5??mA/u* specification??of??the electrodes? ?con ect drain to a piecewise??linear* current??source with??5 mA/u? ?? ?1 ns??risetime??a d??150 ns??durationElectrode { {name=drain voltage=0 current= ((0,5.e-15)(10.e-9,25e-3)(150e-9,1e-6))}{ name=source voltage=0.0 }{ name=substrate? ? voltage=0.0}{ name=gate? ?voltage=0? ? }}* specification of??thermodes? ?pin metal connect on to 300 K?Thermode??{? ?{name= heatsink? ?temperature=300}}* specify file namesFile {*Input FilesGrid = @tdr@* Output FilesPlot= @tdrdat@Current=@plot@Output= @log@}* specify??physical? ?modelsPhysics { Recombination ( SRH(DopingDep) Auger Avalanche(vanOverstraeten))Mobility? ?(??Dopin