蒋仙-磷吸杂对多晶硅片少子寿命分布的影响.pptVIP

磷吸杂对多晶硅片少子寿命分布的影响 一.引言 二.实验 三.实验结果和分析 三.实验结果和分析 三.实验结果和分析 三.实验结果和分析 三.实验结果和分析 四.结论 四.结论 * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * THANK YOU 谢谢 蒋 仙 2008.6.7 2003年多晶硅太阳电池的市场份额达56.3%，已成为光伏市场的主要产品。然而，一方面，多晶硅中存在着高密度的缺陷和杂质，如晶界、位错、氧碳和金属等，对多晶硅片性能造成不良影响；另一方面，由于多晶硅中各部分缺陷和杂质分布的不均匀性，造成单片多晶硅片性能上的明显差别。 太阳能电池生产工艺中，在磷扩散制备PN结时，可以利用磷吸杂的方法有效地吸除多晶硅片体内的杂质，尤其是过渡族金属杂质，从而大幅提高硅片的少子寿命和电池片的转化效率。但是，很多研究表明，由于多晶硅片上晶界、位错、氧碳和金属等杂质的存在和相互作用，以及其分布的不均匀性，造成了磷吸杂效果存在很大差别。 本文研究了磷吸杂前后多晶硅片少子寿命分布的变化，以及晶界、位错、氧碳等缺陷和杂质对磷吸杂效果的影响。 本实验挑选了一片少子寿命分布不均匀且具有典型微晶区 域的多晶硅片。 实验处理过程如下： 去损伤层碘酒钝化 扫描少子寿命（设备为Semilab WT- 2000） 正常电池工艺磷扩散 酸腐去N型层 碘酒钝 化后扫描少子寿命（设备为Semilab WT-2000） 微晶区域 SIMS测氧碳含量 正常磷扩散工艺为：820℃～850℃磷扩散吸杂45分钟。 原始多晶硅片 微晶区域 紧靠坩埚侧壁区域 磷扩散前少子寿命分布图 磷扩散后少子寿命分布图 硅片微晶区域和右边区域C和O 的SIMS 测试结果 磷扩散前少子寿命的分布 紧靠石英坩埚侧壁， 坩埚中的金属杂质通过扩散对晶体造成污染 密集型微晶区域是晶界、位错和杂质三者的聚集区 硅片微晶区域和右边区域C和O 的SIMS 测试结果 磷扩散后少子寿命的分布 1.磷硅玻璃吸杂 2.高浓度的磷层吸杂 1.晶界吸杂 2.位错吸杂 3.氧碳等杂质引起 的内吸杂 4.热处理导致缺陷 密度增加 多晶硅中存在着高密度的缺陷和杂质，如晶界、位错、氧碳和金属等，对多晶硅片性能造成不良影响；而且由于多晶硅中各部分缺陷和杂质分布的不均匀性，单片多晶硅片少子寿命分布存在明显差别。 微晶区域本身作为晶界、位错等缺陷和氧碳、金属等杂质的集中区域，而且在磷吸杂的热处理过程中有会形成新的缺陷和杂质，它们之间的相互作用使微晶区域成为少数载流子的强复合中心，导致少子寿命的严重下降。 太阳能生产工艺中，在磷扩散制备PN结时，利用磷吸杂去除多晶硅片体内的杂质，尤其是过渡族金属杂质时，由于多晶硅片上晶界、位错、氧碳和金属等缺陷和杂质的存在和相互作用，以及其分布的不均匀性，会造成了磷吸杂效果的很大差别。也就是说，磷吸杂的效果很大程度上依赖于多晶硅片内部的缺陷和杂质。 高密度的晶界、位错等缺陷和大量氧沉淀、碳杂质的存在，对微晶区域的金属杂质具有很强的偏聚和内吸杂效应，使得磷扩散的外吸杂效应大大减弱，在内外吸杂的相互竞争中，缺陷和氧沉淀等的内吸杂效应更加有效，使得金属杂质更易在微晶区域内部沉淀，所以微晶区域在磷吸杂后少子寿命不但没有提高反而降低。 * * * * * * * * * * * * * * * * * * * THANK YOU 谢谢