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水热法简介;主要内容;最早采用水热法制备材料的是1845年K.F. Eschafhautl以硅酸为原料在水热条件下制备石英晶体 。 一些地质学家采用水热法制备得到了许多矿物，到1900年已制备出约80种矿物，其中经鉴定确定有石英，长石，硅灰石等。 1900年以后，G.W. Morey和他的同事在华盛顿地球物理实验室开始进行相平衡研究，建立了水热合成理论，并研究了众多矿物系统。 ; 水热法一直主要用于地球科学研究，二战以后才逐渐用于单晶生长等材料的制备领域，此后，随着材料科学技术的发展，水热法也应用于制备超细颗粒，无机薄膜，微孔材料。等方面都。得到了广泛应用。 ;水热法(Hydrothermal Synthesis)，是指在特制的密闭反应器（高压釜）中，采用水溶液作为反应体系，通过对反应体系加热、加压(或自生蒸气压），创造一个相对高温、高压的反应环境，使得通常难溶或不溶的物质溶解，并且重结晶而进行无机合成与材料处理的一种有效方法。 ;;水热生长体系中的晶粒形成可分为三种类型： ;“均匀溶液饱和析出”机制;“溶解-结晶”机制;“原位结晶”机制;将水热条件下纳米晶粒的形成过程可分为三个阶段： ;生长基元与晶核的形成：环境相中由于物质的相互作用，动态地形成不同结构形式的生长基元，它们不停的运动，相互转化，随时产生或消灭。当满足线度和几何构型要求时，晶核即生成。 生长基元在固-液生长界面上的吸附与运动：在由于对流、热力学无规则运动或者原子吸引力，生长基元运动到固-液生长界面并被吸附，在界面上迁移运动。 生长基元在界面上的结晶或脱附：在界面上吸附的生长基元，经过一定距离的运动，可能在界面某一适当位置结晶并长入晶相，使得晶相不断向环境相推移，或者脱附而重新回到环境相中。 ; 晶体内部结构，环境相状态及生长条件的变化都将直接影响晶体生长过程。环境相及生长条件的影响集中体现在生长基元的形成过程中，对于同种晶体，不同的生长条件可能产生不同形式的生长基元，最终形成具有不同生长形态的晶体。不同结构的生长基元在不同界面族上的吸附、运动、结晶或脱附过程主要与结晶相结构相关联。; 水热合???法采用的主要装置为高压反应釜，高压釜为可承高温高压的钢制釜体。由于内部要装酸、碱性的强腐蚀性溶液，当温度和压力较高时，在高压釜内要装有耐腐蚀的内衬，实验室常用的内衬是聚四氟乙烯材料制成的。 ;图 2.4 带搅拌高压反应釜装置图 ;工艺的特点;(1)按要求选择反应物料并确定配方； (2)摸索配料次序，混料搅拌。;水热反应的影响因素;水热合成法的优点： （1）明显降低反应温度（通常在100~200°C下进行）； （2）能够以单一反应步骤完成（不需要研磨和焙烧步骤）； （3）很好地控制产物的理想配比及结构形态； （4）水热体系合成发光物质对原材料的要求较高温固相反应低，所用的原材料范围宽。;工业化发展存在的问题;4 水热合成方法应用