(精选)数字电子技术基础第三章 门电路课件.pptVIP

电子技术;第三章 门电路;3.1 概述;1 本征半导体; 因热激发而出现的自由电子和空穴是同时成对出现的，称为电子空穴对。游离的部分自由电子也可能回到空穴中去，称为复合，如图01.02所示。;3 杂质半导体; (1）N型半导体;(2) P型半导体;多子的扩散运动; (1) PN结加正向电压时的导电情况; (2) PN结加反向电压时的导电情况 ; PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流——PN结导通；; 一、二极管的组成; 二、二极管的伏安特性及电流方程 二极管的电流与其端电压的关系称为伏安特性;三、二极管的等效电路;半导体二极管的导电特性:;一、理想模型;二、恒压源模型;3.3 分立元件门电路 3.3.1 二极管与门 ;3.2.3 二极管或门;二极管构成的门电路的缺点;3.3 CMOS门电路3.3.1MOS管的开关特性;以N沟道增强型为例：;以N沟道增强型为例： 当加+VDS时， VGS=0时，D-S间是两个背向PN结串联??iD=0 加上+VGS，且足够大至VGS VGS (th), D-S间形成导电沟道（N型层） ;二、输入特性和输出特性;漏极特性曲线（分三个区域）;漏极特性曲线（分三个区域）;漏极特性曲线（分三个区域）;漏极特性曲线（分三个区域）;三、MOS管的基本开关电路;四、等效电路;五、MOS管的四种类型;3.3.2 CMOS反相器的电路结构和工作原理;二、电压、电流传输特性;三、输入噪声容限;问题： CMOS可以通过何种方式来提高噪声容限？;3.3.3 CMOS 反相器的静态输入和输出特性;二、输出特性;二、输出特性;3.3.5 其他类型的CMOS门电路;二、漏极开路的门电路（OD门）;三、 CMOS传输门及双向模拟开关;2. 双向模拟开关;四、三态输出门;三态门的用途;双极型三极管的开关特性 （BJT, Bipolar Junction Transistor） ;一、双极型三极管的结构 管芯 + 三个引出电极 + 外壳;基区薄 低掺杂;以NPN为例说明工作原理：;二、三极管的输入特性和输出特性 三极管的输入特性曲线（NPN）;三极管的输出特性;特性曲线分三个部分 放大区：条件VCE 0.7V, iB 0, iC随iB成正比变化， ΔiC=βΔiB。 饱和区：条件VCE 0.7V, iB 0, VCE 很低，ΔiC 随ΔiB增加变缓，趋于“饱和”。 截止区：条件VBE = 0V, iB = 0, iC = 0, c—e间“断开” 。;三、双极型三极管的基本开关电路;工作状态分析：;图解分析法：;四、三极管的开关等效电路;六 、三极管反相器;例3.5.1：计算参数设计是否合理;例3.5.1：计算参数设计是否合理;当 当 又 因此，参数设计合理;3.5.2 TTL反相器的电路结构和工作原理 一、电路结构 设 ;二、电压传输特性;二、电压传输特性;二、电压传输特性;需要说明的几个问题： ;三、输入噪声容限;3.5.3 TTL反相器的静态输入特性和输出特性;输入;输出;3.5.5其他类型的TTL门电路;2. 或非门;二、集电极开路的门电路;2、OC门的结构特点;OC门实现的线与;三、三态输出门（Three state Output Gate ,TS）;三态门的用途; 学会用工程观点分析问题，就是根据实际情况，对器件的数学模型和电路的工作条件进行合理的近似，以便用简便的分析方法获得具有实际意义的结果。 对电路进行分析计算时，只要能满足技术指标，就不要过分追究精确的数值。 器件是非线性的、特性有分散性、RC 的值有误差、工程上允许一定的误差、采用合理估算的方法。;本章主要介绍了逻辑电路的基本概念和TTL、MOS等集成逻辑门。; 本章总的要求： 掌握TTL和CMOS集成门电路输出与输入间的逻辑关系、外部电气特性，包括电压传输特性、输入特性、输出特性和动态特性等； 掌握各类集成电子器件正确的使用方法。