第2讲-变频原理及应用.ppt

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第2讲-变频原理及应用

《变频器原理与应用(第2版)》第2章 总结 变频器 变频器的控制对象 电力电子器件是变频器发展的基础 计算机技术和控制理论是变频器发展的支柱 市场需求是变频器发展的动力 变频器的发展趋势 变频器的分类 变频器的应用 电力电子器件是电力电子技术的物质基础和技术关键,也是变频技术技术发展的“龙头”。 可以说,电力电子技术起步于晶闸管,普及于电力晶体管GTR,提高于IGBT。新型电力电子器件的涌现与发展,促进了电力电子电路的结构、控制方式、装置性能的提高。本章从应用的角度出发,对电力电子器件的种类、性能及应用等加以介绍。 功率二极管(D) 晶闸管(SCR) 门极可关断晶闸管(GTO) 电力晶体管(GTR) 功率场效应晶体管(P-MOSFET) 绝缘栅双极晶体管(IGBT) ) 集成门极换流晶闸管(IGCT) 智能功率模块(1PM) 1、结构: 功率二极管的内部是P-N或P-I-N结构 ,图示为功 率二极管的电路符号和外形。 2、符号: a) b) c) 图2-1 功率二极管的符号和外形 a) 功率二极管的符号 b) 螺旋式二极管的外形 c) 平板式二极管的外形 3、 伏安特性 功率二极管的阳极和阴极间的电压和流过管子的电流之间的关系称为伏安特性,其伏安特性曲线如图所示。 正向特性:当从零逐渐增大正向电压时,开始阳极电流很小,当正向电压大于0.5V时,正向阳极电流急剧上升,管子正向导通。 反向特性:当二极管加上反向电压 时,起始段的反向漏电流也很小,而且 随着反向电压增加,反向漏电流只略有 增大,但当反向电压增加到反向不重复 峰值电压值时,反向漏电流开始急剧增 加。 2.1.2 功率二极管的主要参数 1. 额定正向平均电流IF 在规定的环境温度和标准散热条件下,元件所允许长时间连续流过50Hz正弦半波的电流平均值。 2. 反向重复峰值电压URRM 在额定结温条件下,取元件反向伏安特性不重复峰值电压值URSM的80%称为反向重复峰值电压URRM。 3. 正向平均电压UF (管压降) 在规定环境温度和标准散热条件下,元件通过50Hz正弦半波额定正向平均电流时,元件阳极和阴极之间的电压的平均值,通常为0.45-1V。 2.1.3 功率二极管的选用 1. 选择额定正向平均电流IF 的原则 IDn = 1.57 IF =(1.5~2) IDM 2. 选择额定电压URRM 的原则 URRM =(2~3)UDM 2.1.4 功率二极管的分类 功率二极管一般分为三类: (1)标准或慢速恢复二极管;(工频整流) (2)快速恢复二极管;(中、高频电路) (3)肖特基二极管。(高频电路) 2.2 晶闸管(SCR) 2.2.1 晶闸管的结构 1、结构:晶闸管是四层(P1N1P2N2)三端(A、K、G)器件,其内部结构和等效电路如图所示。 a) b) c) 图2-3 晶闸管的内部结构及等效电路 a) 芯片内部结构 b) 以三个PN结等效 c) 以互补三极管等效 2、晶闸管的外形及符号 a) b) c) 图2-4 晶闸管的外形及符号 a) 晶闸管的符号 b)螺栓式外形 b)带有散热器平板式外形 A –阳极 K—阴极 G—门极 2.2.2 晶闸管的导通和关断控制 晶闸管的导通控制: 在晶闸管的阳极和阴极间加正向电压,同时在它的门极和阴极间也加正向电压形成触发电流,即可使晶闸管导通。 导通的晶闸管的关断控制: 令门极电流为零,且将阳极电流降低到一个称为维持电流的临界极限值以下。 2.2.3 晶闸管的阳极伏安特性

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