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课题十 霍尔传感器 温度特性及补偿 当温度变化Δt时，其增量为 ΔRH=RH0αΔt ΔRi=Ri0βΔt 增量表达式为 ΔUH=RH0(α-Ri0β/Ri0+R) Δt （1） 要使温度变化霍尔电压不变，必须使α=Ri0β/Ri0+R=0 即 R=Ri0(β-α)/α 式（1）中第一项表示因温度升高霍尔系数引起霍尔电压的增量，第二项表示输入电阻因温度高引起霍尔电压减小的量。只有当第一项α=Ri0β/Ri0+R=0时，才能用串联电阻的方法减小第二项，实现自补偿。 * * 课题八、霍尔传感器 案例1：汽车速度测量 问题： 与汽车速度对应的电信号是如何获得的? 案例2：测量机械加工工件的凹和凸 问题： 如何及时发现工件上凹或凸的瑕疵？ 学习要求: 1、霍尔传感器的工作原理 2、集成霍尔传感器 3、霍尔传感器的应用 学习任务： 解决以上提出的任意一个问题，写出研究报告 （一）概述： 霍尔元件是一种基于半导体材料的霍尔效应进行测量的磁传感器。可以检测磁场及其变化，可在各种与磁场有关的场合中使用。霍尔器件以霍尔效应为其工作基础。 （二）特点： 霍尔器件具有许多优点，它们的结构牢固，体积小，重量轻，寿命长，安装方便，功耗小，频率高，耐震动，不怕灰尘、油污、水汽及盐雾等的污染或腐蚀。 一、霍尔传感器的工作原理 （三）霍尔元件 金属或半导体薄片置于磁场中，当有电流流过时，在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势，这种物理现象称为霍尔效应。 设图中的材料是Ｎ型半导体，导电的载流子是电子。在ｚ轴方向的磁场作用下，电子将受到一个沿ｙ轴负方向力的作用，这个力就是洛仑兹力。它的大小为： FL=qvB 在洛仑兹力的作用下，电子向一侧偏转，使该侧形成负电荷的积累，另一侧则形成正电荷的积累。这样，A、B两端面因电荷积累而建立了一个电场Ｅｈ，称为霍尔电场。该电场的强度为 Eh=vB 在A与B两点间建立的电势差称为霍尔电压，用UH表示 UH= Ehb= vBb 　　 由上式知，霍尔电压的大小决定于载流体中电子的运动速度，它随载流体材料的不同而不同。材料中电子在电场作用下运动速度的大小常用载流子迁移率来表征，所谓载流子迁移率，是指在单位电场强度作用下，载流子的平均速度值。载流子迁移率用符号μ表示，μ=v/EI。其中EI是C、D两端面之间的电场强度。它是由外加电压U产生的，即EI＝U/L。因此我们可以把电子运动速度表示为v=μU/l。这时上式可写为: 当材料中的电子浓度为n时，有如下关系式: I=nqbdv 即 将上式代入前式可得 KH为霍尔灵敏度，它表示一个霍尔元件在单位控制电流和单位磁感应强度时产生的霍尔电压的大小，KH=RH/d，它的单位是mV/(mA·T) 通过以上分析可知： 1）霍尔电压UH与材料的性质有关，霍尔元件一般采用N型半导体材料。 2）霍尔电压UH与元件的尺寸有关。 d 愈小，KH 愈大，霍尔灵敏度愈高，所以霍尔元件的厚度都比较薄，但d太小，会使元件的输入、输出电阻增加。 霍尔电压UH与控制电流及磁场强度有关。控制电流恒定时愈大愈大。当磁场改变方向时，也改变方向。 二、霍尔元件 霍尔电压UH正比于控制电流和磁感应强度。在实际应用中，总是希望获得较大的霍尔电压。 通过霍尔元件的最大允许控制电流为 霍尔元件在最大允许温升下的最大开路霍尔电压： 霍尔元件的组成：由霍尔片、四根引线和壳体组成，如下图示。 温度特性 霍尔元件的温度特性是指元件的内阻及其输出与温度之间的关系。 不同材料的内阻及霍尔电压与温度的关系曲线如下图： 温度补偿 霍尔元件温度补偿的方法很多，主要有下面的两种。 (1) 利用输入回路的串联电阻进行补偿，如图所示： 元件霍尔系数和输入内阻与温度之间的关系为： R Ht=R H0(1+αt) R it=R i0(1+βt) R Ht为温度t时霍