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7电荷耦合器件
电荷耦合器件 致 谢 谢谢大家！ 王萍 电气信息学院 二O一O年三月 电气信息学院 王萍 二O一O年三月制 电荷耦合器件(ChargeCoupledDevices,简称CCD)是贝尔实验室的W.S.Boyle和G.E.Smith于1970年发明的,由于它有光电转换、信息存储、延时和将电信号按顺序传送等功能,且集成度高、功耗低,因此随后得到飞速发展,是图像采集及数字化处理必不可少的关键器件,广泛应用于科学、教育、医学、商业、工业、军事和消费领域。 概述 MOS电容的结构 电荷耦合器件的结构和工作原理 构成CCD的基本单元是MOS电容器，如图所示。与其它电容器一样，MOS电容器能够存储电荷。 当在金属电极（栅极）上施加正阶跃电压，半导体电极（衬底）接地，在电场作用下，靠近SiO2层的P-Si中带正电荷的多数载流子空穴被排斥（“耗尽”），形成耗尽区。对带负电的电子，该区势能很低，称为“势阱”。在一定条件下，电压越高，势阱越深。 如果此时有光从栅极通过透明的SiO2层照射在P-Si片上，耗尽区吸收光子将产生电子-空穴对，在栅极电压作用下，空穴被排斥出耗尽区，光生电子被势阱吸收存储。这样高于半导体禁带宽度的那些光子，能建立起正比于光强的存储电荷。 将多个光敏元排列在一体，在光线照射下产生与光强成正比的光生载流子信号电荷，若使其具有转移信号电荷的自扫描功能，即构成固态图象传感器。而MOS光敏元称为像素。 电荷移位过程 若MOS光敏元相邻排列间距极小，耗尽区发生交迭（势阱耦合），电子将在互相耦合的势阱间流动，流动的方向取决于势阱的深度。这样即可有控制地将电荷从一个金属电极下转移到另一个电极下。 CCD应用 1.尺寸测量 见书P120 2.光学文字识别装置 见书P121
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