电力电子技术第5版教学课件作者王兆安刘进军第2章节电力电子器件课件幻灯片.ppt

*/89 2.4.3 电力场效应晶体管 ◆电力MOSFET的工作原理 ?截止：当漏源极间接正电压，栅极和源极间电压为零 时，P基区与N漂移区之间形成的PN结J1反偏，漏源极之间 无电流流过。 ?导通 √在栅极和源极之间加一正电压UGS，正电压会将其下面P区中的空穴推开，而将P区中的少子——电子吸引到栅极下面的P区表面。 √当UGS大于某一电压值UT时，使P型半导体反型成N型半导体，该反型层形成N沟道而使PN结J1消失，漏极和源极导电。 √UT称为开启电压（或阈值电压），UGS超过UT越多，导电能力越强，漏极电流ID越大。 */89 ■电力MOSFET的基本特性 ◆静态特性 ?转移特性 √指漏极电流ID和栅源间电压 UGS的关系，反映了输入电压和输 出电流的关系 。 √ID较大时，ID与UGS的关系近似 线性，曲线的斜率被定义为 MOSFET的跨导Gfs，即 2.4.3 电力场效应晶体管 图2-21 电力MOSFET的 转移特性和输出特性 a) 转移特性 (2-11) √是电压控制型器件，其输入阻 抗极高，输入电流非常小。 */89 2.4.3 电力场效应晶体管 ?输出特性 √是MOSFET的漏极伏安特性。 √截止区（对应于GTR的截止区）、饱和区（对应于GTR的放大区）、非饱和区（对应于GTR的饱和区）三个区域，饱和是指漏源电压增加时漏极电流不再增加，非饱和是指漏源电压增加时漏极电流相应增加。 √工作在开关状态，即在截止区和非饱和区之间来回转换。 ?本身结构所致，漏极和源极之间形成了一个与MOSFET反向并联的寄生二极管。 ?通态电阻具有正温度系数，对器件并联时的均流有利。 图2-21 电力MOSFET的转移特性和输出特性 b) 输出特性 */89 ◆动态特性 ?开通过程 √开通延迟时间td(on) 电流上升时间tr 电压下降时间tfv 开通时间ton= td(on)+tr+ tfv ?关断过程 √关断延迟时间td(off) 电压上升时间trv 电流下降时间tfi 关断时间toff = td(off) +trv+tfi ?MOSFET的开关速度和其输入 电容的充放电有很大关系，可以降 低栅极驱动电路的内阻Rs，从而减 小栅极回路的充放电时间常数，加 快开关速度。 2.4.3 电力场效应晶体管 信号 R s R G R F R L i D u GS u p i D + U E 图2-22 电力MOSFET的开关过程 a)测试电路 b) 开关过程波形 up为矩形脉冲电压信号源，Rs为信号源内阻，RG为栅极电阻，RL为漏极负载电阻，RF用于检测漏极电流。 (a) (b) */89 2.4.3 电力场效应晶体管 ?不存在少子储存效应，因而其关断过程是 非常迅速的。 ?开关时间在10~100ns之间，其工作频率可 达100kHz以上，是主要电力电子器件中最高 的。 ?在开关过程中需要对输入电容充放电，仍 需要一定的驱动功率，开关频率越高，所需 要的驱动功率越大。 */89 2.4.3 电力场效应晶体管 ■电力MOSFET的主要参数 ◆跨导Gfs、开启电压UT以及开关过程中的各时间参数。 ◆漏极电压UDS ?标称电力MOSFET电压定额的参数。 ◆漏极直流电流ID和漏极脉冲电流幅值IDM ?标称电力MOSFET电流定额的参数。 ◆栅源电压UGS ?栅源之间的绝缘层很薄，?UGS?20V将导致绝缘层击穿。 ◆极间电容 ? CGS、CGD和CDS。 ◆漏源间的耐压、漏极最大允许电流和最大耗散功率决 定了电力MOSFET的安全工作区。 */89 2.4.4 绝缘栅双极晶体管 ■GTR和GTO是双极型电流驱动器件，由于具有 电导调制效应，其通流能力很强，但开关速度较 低，所需驱动功率大，驱动电路复杂。而电力 MOSFET是单极型电压驱动器件，开关速度快， 输入阻抗高，热稳定性好，所需驱动功率小而且驱 动电路简单。绝缘栅双极晶体管（Insulated-gate Bipolar Transisto