电工电子技术教学课件作者秦雯第5章节半导体器件课件幻灯片.pptVIP

1.共发射极电流放大系数 iC / mA uCE /V 50 μA 40 μA 30 μA 20 μA 10 μA IB = 0 0 2 4 6 8 4 3 2 1 一般为几十 ? 几百 Q 2.极间反向饱和电流 CB极间反向饱和电流 ICBO， CE极间反向饱和电流 ICEO。 （1）直流电流放大系数 （2）交流电流放大系数 ? 5.3.4 晶体管的主要参数 3.极限参数 （1） ICM — 集电极最大允许电流，超过时 ? 值明显降低。 U(BR)CBO — 发射极开路时 C、B极间反向击穿电压。 （2） PCM — 集电极最大允许功率损耗 （3）U(BR)CEO — 基极开路时 C、E极间反向击穿电压。 U(BR)EBO — 集电极极开路时 E、B极间反向击穿电压。 iC ICM U(BR)CEO uCE PCM O ICEO 安 全 工 作 区 5.4　半导体器件的型 号和测试 5.4.2 半导体器件的测试 5.4.1 半导体器件的型号 5.4.1 半导体器件的型号 第一部分 数字 电极数 2 — 二极管 3 — 三极管 第二部分 第三部分 字母(汉拼) 材料和极性 A — 锗材料 N 型