第五章节半导体材料幻灯片.pptVIP

虽然这两种点缺陷同时存在，但由于在Si、Ge中形成间隙原子一般需要较大的能量，所以肖特基缺陷存在的可能性远比弗仑克尔缺陷大，因此Si、Ge中主要的点缺陷是空位 * 弗仑克尔缺陷 肖特基缺陷 Ga空位：化合物半导体GaAs中，如果成份偏离正常化学比，也会出现间隙原子和空位。如果Ga成份偏多会造成Ga间隙原子和As空位；As成份偏多会造成As间隙原子和Ga空位。 反结构缺陷：化学比偏离还可能形成所谓反结构缺陷，如GaAs晶体中As的成份偏多，不仅形成Ga空位，而且As原子还可占据Ga空位，称为反结构缺陷。 此外高能粒子轰击半导体时，也会使原子脱离正常格点位置，形成间隙原子、空位以及空位聚积成的空位团等。 * * 杂质缺陷是由外来杂质进入晶体而产生的缺陷。任何物质都不可能达到100%的纯净，或多或少总含有其他成分。因此杂质缺陷是材料中不可避免的一种缺陷形式，也是很重要的一种点缺陷. 2 杂质点缺陷（掺杂）： 杂质点缺陷： 间隙杂质缺陷 替位杂质缺陷（N型半导体 P型半导体） 位错是晶体中的另一种缺陷，它是一种线缺陷。 半导体单晶制备和器件生产的许多步骤都在高温下进行，因而在晶体中会产生一定应力。在应力作用下会产生一定的位错。 * 二、 线缺陷： 螺旋位错 刃型位错 * 位错使得晶体中存在一系列悬挂键，起到施主和受主的作用。失去电子——施主，得到电子——受主。 晶格畸变，能带发生变化，影响半导体的性能 形成电子空穴的复合——产生中心以及散射中心，并且还可能是造成漏电管道、其它缺陷成核中心等不良现象的重要因素。 位错对半导体材料及器件产生的影响 * 三、面缺陷 堆垛层错：如果晶体中有某一个原子面的堆叠次序发生了错乱，则在该晶面处即出现了原子排列的混乱——原子面的缺陷，这就是堆垛层错（简称为层错）。 。 * 4.3 非晶半导体材料 与晶态半导体材料相比，非晶态材料的原子在空间排列上失去了长程有序性，但其组成原子也不是杂乱无章排布的，由于受到化学键，特别是共价键的约束，有几个原子在为小范围内小区域内有着与晶体相似的结构特征。 所以对非晶材料的结构描述：长程无序，短程有序。 在非晶硅材料中包含大量的悬挂键、空位键等缺陷，因而又很高的缺陷态密度，他们提供了电子和空穴的复合场所，所以一般非晶硅是不适合作电子器件的。 * 1975年斯皮尔等人用硅烷分解沉积法制得非晶态硅薄膜。由于在该膜中含有大量的氢，使许多悬挂键被氢化。致使缺陷态密度降低。并且成功地实现对非晶硅材料的n型和p型掺杂 * * 非晶硅比晶体硅制备工艺简单，易于做成大面积。 非晶硅对于太阳光的吸收效率高,器件只需大约1微米厚的薄膜材料，因此，可望做成一种廉价的太阳能电池。 当连续的改变非晶硅中掺杂元素合和掺杂量时，可以连续的改交电导率、禁带宽度等。这为获得所需的新材料提供了 广阔的天地。 对于非晶半导体的应用目前研究最多的是非晶硅太阳能电池 * * * * * di碲(Te)，锡元素 (Sn) ，碘（I），ti锑(Sb)， Se，硒（xi） * 非晶半导体按键合力的性质分为共价键非晶半导体和离子键非晶半导体两类。可用液相快冷方法和真空蒸发或溅射的方法制备。工业上用于制备非晶半导体件，如太阳能电池、传感器、光盘、薄膜晶体管等。 * 硅和锗价带极大值位于k=0处，三维晶体中为一球形等能面 硅和锗导带多能谷结构，三维晶体中分别存6和8个能量最小值 硅和锗导带底和价带顶在k空间处于不同的k值，为间接带系半导体 * 画能带时只需画能量最高的价带和能量最低的导带。价带顶和导带底都称为带边，分别用Ev和Ec表示它们的能量，带隙宽度Eg＝Ec-Ev。 导 带 价 带 Eg EC EV * 2、 硅、锗中的杂质缺陷 杂质进入晶格中的存在形式：间隙式杂质 替位式杂质 间隙式杂质: A, 半径较小 替位式杂质: B, 原子大小与替换原子接近 价电子壳层结构接近 * 替位式杂质：两类 第一类：施主掺杂， n型半导体 第二类：受主掺杂， p型半导体 Ⅴ族或过渡金属 Ⅲ族或过渡金属 * 导 带 价 带 施主能级 ED Eg EC EV 施主掺杂 * 导 带 EA 价 带 受主能级 Eg EC EV 受主掺杂 * 施主能级 + 受