第五章节材料的电学性能_材料物理幻灯片.pptVIP

四、导电性的测量 电导的宏观参数 电导的物理特性 电导率? (1/?) 体积电阻率：反映材料的导电能力 表面电阻率 载流子（电子、离子） 电导的物理效应 霍尔效应（电子电导） 电解效应（离子电导） 离子电导与电子电导 圆片试样 小 结 离子电导 本征离子电导 杂质离子电导 载流子：热缺陷：F缺陷、S缺陷 迁移率 载流子浓度 电导率 载流子：杂质离子 迁移率 载流子浓度 电导率 离子电导的必要条件（离子性晶格缺陷的形成及其浓度大小） 晶格缺陷形成的原因(热激励，掺杂等) 电子电导 本征半导体 杂质半导体 载流子：电子或空穴 迁移率 载流子浓度 电导率 载流子：多余电子 迁移率 载流子浓度 电导率 n 型半导体 迁移率 载流子浓度 电导率 p 型半导体 载流子：空穴 §5.2 无机材料的电导 一、无机材料电导的混合法则 二、电流吸收现象 三、电化学老化现象 无机材料：多晶多相 结构复杂（晶界、相界、气孔） 一、无机材料电导的混合法则 陶瓷材料 假设陶瓷材料由晶粒和晶界组成，界面和局部电场变化等影响因素可以忽略。 ?G、 ? B：晶粒、晶界的电导率 VG、VB：晶粒、晶界的体积分数 n=-1 串连 n= 1 并联 n→ 0 均匀分散状态 将式(4-1)微分 若n→ 0，则 即 材料电导的对数混合法则 二、电流吸收现象 给陶瓷加上直流电压后，其电流先随时间减小，然后才能稳定，即其电阻需要经过一定的时间才能稳定。切断电源后，将电极短路，出现反向电流，并随时间减小到零。 吸收电流 漏电电流 原因： 外加电场作用下，正负离子定向移动，集聚在在电极或生成新的物质； 不均匀结构（杂质、晶格畸变、晶界、气孔等））引起电荷集聚。 空间电荷的积累，即空间电荷，改变了外电场在陶瓷内的电位分布，引起电流变化。 电流吸收现象主要发生在离子电导为主的陶瓷材料中。电子电导为主的陶瓷材料，由于电子迁移率很高，不存在空间电荷和吸收电流现象。 三、电化学老化现象 电化学老化：电场作用下，由于化学变化引起材料性能不可逆的恶化。 原因： 离子在电极附近发生氧化还原反应。 必要条件： 介质中的离子至少有一种参加电导。 §5.3 半导体陶瓷的物理效应 一、压敏效应 二、PTC效应 三、Seeback效应 一、压敏效应（Varistor Effect） 对电压变化敏感的非线性电阻效应，即在某一临界电压下，电阻非常大，几乎无电流通过，超过该临界电压（敏感电压），电阻迅速降低，电流通过。 ZnO压敏电阻： 稳压和过压保护、避雷器 二、 PTC效应（Positive Temperature Coefficient） 在材料（价控BaTiO3）相变点附近（居里点），电阻率随温度上升发生突变，显著提高，即所谓的PTC现象。 应用： 过热保护、过流保护、恒温发热体（电饭锅、电吹风机等） 三、 Seeback 效应（温差电动势效应） 由于温度梯度使多数载流子从热端扩散到冷端，结果在半导体两端就产生温差电动势，这种现象称为温差电动势效应。 n型半导体 T1 T2 - - - - - - + + + + - T1 T2 + + + + + + T1 T2 - - - ?V ?V p型半导体 §5.4 超导体 一、超导电性 二、超导体的基本特征 三、超导体的性能指标 四、超导体的研究进展与应用 一、 超导电性 超导电性：在一定的低温条件下，材料突然失去电阻的现象称为超导电性。 1911年，荷兰科学家卡茂林·昂内斯（Kamerlingh Onnes）发现：在4.2K温度附近，水银的电阻突然下降到无法测量的程度，或者说电阻为零。 临界温度Tc：材料由正常态（有电阻）变为超导态的温度。 零电阻、等电位 超导体：具有超导电性物质。 二、超导体的基本特征 1. 完全导电性（零电阻） 放在磁场中的环形超导体，冷却到低温使其变为超导态，把外磁场突然去掉，由于磁感应作用圆环内产生感生电流，由于电阻为零，感生电流永不衰竭，称为永久电流。 2. 完全抗磁性（Meissner效应） 处于超导状态的金属，不管其经历如何，内部磁感应强度B始终为零。 外加磁场不能进入超导体的内部； 原来处于磁场中的正常态样品，当温度下降使其变为超导体时，也会把原来在体内的磁场完全排出去。 超导态对磁通的排斥 正常态 超导态 三、超导体的性能指标 1. 临界转变温度Tc：由正常态变为超导态的温度 临界转变温度越高越好，越有利于利用。 超导体具有屏蔽磁场和排出磁通的性能。 2. 临界磁场Hc：保持超导态的最大磁场强度 当TTc，将超导体放入磁场中，如果磁场强度高于临界磁场强度，则磁力线穿过超导体，超导体被破坏成为正常态。 3. 临界电流密度Jc ：保持超导态的最大输入电流密度 如