- 1、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。。
- 2、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
- 5、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
模拟集成电子学 第二节 集成电路中的二极管、双极型晶体管、MOSFET 一.双极型晶体管 NPN PNP P衬底 N 外延双极工艺 在n阱CMOS工艺中的pnp 模拟集成电子学 第二节 集成电路中的二极管、双极型晶体管、MOSFET 二.MOSFET MOSFET N沟 P沟 N型增强 N型耗尽 P型增强 P型耗尽 模拟集成电子学 第二节 集成电路中的二极管、双极型晶体管、MOSFET N沟 P沟 N型增强 N型耗尽 P型增强 P型耗尽 表示方法 以上是三端器件;集成电路中用通常是四端器件! NMOS结构 的立体结构 PMOS管结构 目前,SMIC(中芯国际)的40nm工艺,包括三种阈电压的MOS管(即1.1V、1.8V和2.5V),1P10M,采用Low-k (2.7)的铜互连。 模拟集成电子学 第三章 集成电路中的器件模型 模拟集成电子学 建立方法: 1.以器件的结构和工作原理为依据。 2.把器件当成“黑盒子”而从其端口出发建立模型特性。 模拟集成电子学 集成电路中的器件模型 1.直流模型——大信号范围内适合,也叫大 信号模型。 2.低频小信号模型——小信号时适合。 3.高频模型——加上各种寄生元件而生成。 4.噪声模型。 分类: 模拟集成电子学 集成电路中的器件模型 一.二极管模型 饱和电流 ——面积因子 模拟集成电子学 集成电路中的器件模型 二.双极晶体管模型 直流模型 晶体管传输饱和电流 交流小信号模型 (考虑各种电容的影响) 集成电路中的器件模型 三.MOSFET模型 SPICE Model LEVEL=1 Shichman-Hodges(SH方程) model LEVEL=2 考虑了二阶效应 LEVEL=3 半经验模型 LEVEL=4 短沟道模型(BSIM3) 模拟集成电子学 集成电路中的器件模型 LEVEL1(以NMOS为例) 1.直流大信号模型 ( 开启电压) ( , ) ( , ) ( ) 其中 模拟集成电子学 集成电路中的器件模型 2.交流模型 L为沟道长度 L’为有效长度 L0栅对源、漏 覆盖长度 模拟集成电子学 集成电路中的器件模型 欧姆区: 沟道中的n型反型层与衬底之间的电容 模拟集成电子学 集成电路中的器件模型 饱和区: 模拟集成电子学 集成电路中的器件模型 3.交流小信号模型 (低频、高频) 截止区: 欧姆区: 小信号时通常不工作在欧姆区。 饱和区: 强反型所需的栅压 体阈值参数 MOS和双极型器件性能比较 跨导 对MOS器件, 若Ic=1mA, 室温下kT/q=0.026V, 则 对双极器件, 可以画出低频小信号等效电路 加上电容可以得到高频小信号等效电路 模拟集成电子学 集成电路中的器件模型 4. MOS管的亚阈值区特性 应用:(1)低功耗时 (2)利用指数关系 (3)低速电路 模拟集成电子学 三.MOS工艺中两个重要问题 a)ESD(Electro-Static-Discharge) b)Latch-up effect 集成电路中的器件模型 模拟集成电子学 a)集成电路中管脚的静电保护电路 集成电路中的器件模型 模拟集成电子学 b)闩锁效应 闩锁效应是由NMOS的有源区、P衬底、N阱、PMOS的有源区构成的n-p-n-p结构产生的,当其中一个三极管正偏时,就会构成正反馈形成闩锁。 集成电路中的器件模型 模拟集成电子学 = = 集成电路中的器件模型 模拟集成电子学 为避免以上情形出现: 1.器件放置远。 2.采用深well。 3.加保护环。 4.阱和衬底浓度高,加大基区复合。 5.Silicon on Insulator(SOI) / Silicon on Sapphire(SOS) 工艺。 集成电路中的器件模型 SOI(Silicon-On-Insulator: 绝缘衬底上的硅)技术 * Institute of Robotics and Automatic Information System Institute of Robotics and Automatic Information System 模拟集成电子学 模拟集成电子学 第二章 集成电路中的元器件 模拟集成电子学 目录 第二节 集成电路中的二极管、 双极型晶体管、MOSFET 第一节 集成电路中的电容、 电阻和电感 模拟集成电子学 第一节 集成电路中的电容、电阻和电感 一.电容(Capacitor) 参数
您可能关注的文档
最近下载
- 【备战25年高考数学】解答题07 6类新定义答题模板(解析版).docx VIP
- (完整)部编版五年级上册语文课堂作业本答案 .pdf VIP
- 化学-辽宁省名校联盟2024年高一10月份联合考试试题和答案.docx VIP
- 2025年国开(中央电大)行管专科《行政组织学》网上形考任务试题及答案_不确定精品.pdf VIP
- 消防救援队伍条令法规授课.pptx
- 2024 IMT-2030(6G)推进组白皮书 -6G分布式自治网络架构和关键技术研究.docx
- 2025年天津市专业技术人员公需考试试题-数字技术领域新职业——大数据应用驱动智能未来.docx VIP
- 广西北海市名校2024-2025学年高一上学期期中检测英语试题(含答案).docx VIP
- 自然地理学(伍光和)课后习题答案.doc VIP
- 食品工程原理试题思考题与习题及答案.doc VIP
文档评论(0)