第二章节__晶体生长动力学幻灯片.pptVIP

将上述2.86、2.87代入2.88式，得到 当熔体晶体生长温度T接近于平衡温度（熔点）Te时，△φkT，那么 由于△φ＝ △gv（单个原子由液相转变为晶相所引起的体系自由能的降低） 所以，对于熔体生长 上式表明晶体的法向生长速率R与熔体过冷度△T成线性关系。只要△T增加，R也增加，即不受限制生长。 四、扩散界面的生长 扩散界面是一由液相缓慢转变为晶相的空间区域，这一区域具有许多原子层厚度。 Cahn为了讨论一般固相内发生相变时两相界面的稳定形态及其变化，提出了连续体模型。 根据连续体模型处理的结果，界面自由能是界面位置的周期性函数 σ（x)=σ0 [1+g(x)] (2.94) σ0为界面自由能σ的最小值；当界面层数n足够大时， g(x)为 界面自由能在固液界面连续移动的变化，如图2.31所示。 从式2.95可以看出，随着界面的连续移动，界面自由能σ（x)的相对变化幅度g(x)，对n大而较平坦的界面， g(x)越小。 从图2.31看出，随着界面的平行移动，界面自由能的极大和极小变化，表现为晶格常数a的周期性特征。 如果界面移动了δx距离，那么相应的界面自由能的变化量δG为 如果界面发生移动，则δG0，因此，当界面移动一个晶格常数a的距离的条件为 从图中可以看出，结合到(1)-(6)位置上的原子，各自的第一、第二、第三最近邻的原子数目是不同的，因此进入晶相时所释放的能量也不同，通过分析计算，见表2.3 表2.3 新原子成键所释放的能量顺序 原子在光滑界面上的位置 n1 n2 n3 Φ值大小顺序 （1） 1 4 4 4 （2） 2 6 4 2 （3） 3 6 4 1 （4） 1 3 2 5 （5） 2 4 2 3 （6） 1 2 1 6 成键时所释放能量的多少反映了不同位置成键的难易。 从表中可知，图2.17中原子(3)的位置[即三面角位置，又称为扭折位置]是结合新原子的最有利位置。 Kossel模型也适用于简单的离子晶体和简单的分子晶体。 二、非完整光滑面理论模型（Frank模型） 1949年，Frank（夫兰克）提出，又称为螺旋位错模型 发展成Burton，Cabrera和Frank理论，简称为BCF理论。 在光滑的生长界面上开始生长晶体时，需要台阶源，那么台阶源从何而来呢？ 从气相或溶液中生长晶体时，如果在光滑界面上形成二维临界晶核后就可出现台阶源，理论计算需要过饱和度大约25~50%. 但实验发现，晶体在过饱和度很低（1%）下就可生长，为了解决这一矛盾，Frank提出，晶体生长界面上的螺旋位错露头点可作为晶体生长台阶源，这样就可解释晶体在很低的过饱和度下就能生长的现象。 最简单的螺旋位错生长模型如图2.18所示 根据螺旋位错生长模型，晶体在生长过程中就不再需要形成二维临界晶核，而螺旋位错在界面上的露头处就可提供一永不消失的台阶源，晶体将围绕螺旋位错露头点旋转生长，而且台阶源不随原子面网一层一层地铺设而消失，呈现螺旋式的连续生长，因此晶体的这种生长方式称为螺蜷线生长。 三、粗糙界面理论模型（Jackson模型） 1958年，Jackson提出，通常又称为双层界面模型。 该模型只考虑晶体表面与界面层两层之间的相互作用，假设条件如下： （1）界面内所包含的全部晶相与流体相原子都位于晶格座位上； （2）晶体生长体系中各原子划分为晶相原子和流体相原子。 该模型的理论基础是在恒温恒压条件下，在界面层内的流体相原子转变为晶相原子所引起的界面层中Gibbs自由能的变化。 所设想的粗糙界面理论模型如图2.19所示。 该模型是针对简单立方结构晶体而言的，界面层为单原子层 为了便于计算，假定： （1）晶相原子与流体相原子之间无相互作用； （2）流体相原子之间无相互作用； （3）晶相原子只考虑其最近邻原子间的作用； （4）忽略界面层内的偏聚效应（即原子集团化的作用）等 当晶相－流体相界面层的平衡温度Te时，假定该界面单原子层中有N个可生长位置。其中，有NA个属于晶相原子，那么单原子层中，晶相原子的成分为 x= NA/N，那么属于流体相原子的成分为1－x。 如果x=50%，则该体系中界面的平衡结构是粗糙的； 若x接近于0%或100%，则界面是光滑的。 在两相平衡温度Te和压力P下，由NA个流体相原子转变为NA个晶相原子所引起的G的变化量为 △G＝ △E＋P △V－Te △S (2.47) 式中， △E ，△V， △S 分别表示在界面层中流体相原子转变为晶相原子所引起的内能，体积和熵的变化量。 假定原子是按统计分布在界面层的点阵座位上，这样界面层中的晶相原子和流体相原子的分布状态就与温度无关，利用Bragg－Williams近似法处理，采用统计计算，得到界面层内G的变化量△G与晶相原子占