第二章节半导体材料幻灯片.pptVIP

本征半导体： 不含任何杂质和缺陷的纯净半导体，其纯度在99.999999%（8~10个9）。 掺杂半导体：把特定的元素引入到本征半导体中，可提高本征半导体的导电性。 两种特性：1.通过掺杂精确控制电阻率 2.电子和空穴导电 砷化镓 1、载流子的迁移率比硅高，寄生电容和信号损耗小，这种特性使得在通信系统中比Si器件更快的响应高频微波并有效地把它们转变为电流。 2、抗辐射能力强。 3、半绝缘特性使得临近器件的欧姆最小化。 4、制造成本较Si大，而且没有天然的氧化物，脆性，有剧毒 P型硅 N型半导体中的电子传导 P半导体中的空穴传导 受主：在半导体材料中形成P型导电的掺杂剂 施主：在半导体材料中形成N型导电的掺杂剂 掺杂半导体的特性 2.5电子和空穴的输运 1、热运动 电子或空穴在半导体中的热运动是随机的，又是被碰撞过程所中断。所以热运动最终并不产生净 移位或长时间内的输运，电子随机热运动的速度 是温度的函数，在室温下这一速度近似为 8*106cm/s. 2、漂移运动 当在样品上加有电场时，就会有一个附加速度分量与载流子的热运动相迭加，这个附加分量就是漂移运动。 电子的漂移运动方向与电场的方向相反。 当漂移速度与热运动速度相当时，电场对漂移速度的作用开始减小。 电子和空穴漂移速度随电场的增强而增加。但漂移速度的增长速率逐渐减缓，最后达到一个最大的漂移速度。 单位面积上的电子和空穴漂移电流密度分别为： 总的漂移电流密度为 3、扩散运动 上述两种运动是指半导体中浓度均匀的载流子运动，在浓度不均匀的情况下，载流子还会在浓度梯度▽n、 ▽p的影响下进行扩散运动，电子和空穴的扩散电流密度分别为： 总的电流扩散密度为： 2.6载流子的迁移率 迁移率：漂移速度与外加电场强度之间的比例常数。 载流子被电场加速的同时，将与晶格格点和晶格中的杂质碰撞产生散射，各种散射机构决定了载流子的迁移率的大小。 迁移率与扩散系数间满足 2.7硅中的载流子的寿命 在任一温度下，均可通过热过程在硅内部不断产生电子—空穴对，同时，电子—空穴对又通过复合不断消失。当电子—空穴对的产生与复合率完全相同时便达到了平衡。 如果用一个高能源照射本征半导体表面，电子—空穴对的数目将迅速增加。光照去去除后，电子和空穴浓度仍然相等，但两者的乘积却远远大于半导体在同一温度下的平均值 ，过剩的电子和空穴通过复合衰减，同时以光照和热的形式向晶格释放能量。 过剩电子—空穴对复合所需时间为载流子寿命。对 硅而言，载流子寿命可高达几百 ，低至几ps。 硅中的电子空穴对可通过以下几种途径进行复合： 1.直接复合，在导带、价带之间直接跃迁所产生的复 合 2.间接复合，借助硅中杂质能级进行复合 3.表面复合 2.8PN结 PN结的形成 内建电场 内建电场是由多子的扩散运动引起的，伴随着它的建立将带来两种影响： 一是内电场将阻碍多子的扩散 二是P区和N区的少子一旦靠近PN结，便在内电场的作用下漂移到对方，使空间电荷区变窄。? 当扩散运动和漂移运动达到动态平衡时，交界面形成稳定的空间电荷区，即ＰＮ结处于动态平衡。ＰＮ结的宽度一般为0.5um。 ?PN结在未加外加电压时，扩散运动与漂移运动处于动态平衡，通过PN结的电流为零。 2.9半导体二极管的结构? 1.点接触型二极管的结构 它的特点是结面积小，因而结电容小，适用于高频(几百兆赫)电路。但它不能通过很大的电流，也不能承受高的反向电压。主要用于小电流整流和高额检波，也适用于开关电路。 2.面接触型二极管的结构 它的特点是 PN结面积大，能通过较大的电流，结电容也大，适用于整流电路，但工作频率较低。 3.平面型二极管的结构 它的特点是结面积较大时，能通过较大的电流，适用于大功率整流。结面积较小时，结电容较小，工作频率较高，适用于开关电路。 2.10半导体产品材料 锗和硅 锗的熔点为973 ℃，限制了高温工艺，表面缺少自然生成的氧化物，从而容易漏电。 硅的熔点为1415 ℃，允许高温工艺，且容易生成二氧化硅。 半导体化合物 化合物半导体由元素周期表中的第Ⅱ族、第Ⅲ族、第Ⅳ族、第Ⅵ族形成。其中用的最多的是砷化镓（GaAs）、磷砷化镓（GaAsP）、磷化铟（InP）、砷铝化镓（GaAlAs）和磷镓化铟（InGaP）等。当电流激活时，由砷化镓和磷砷化镓做成的二极管会发出可见的激光。也用于电子面板中