第二章节导电材料：半导体材料幻灯片.pptVIP

非晶态半导体 原子排列短程有序，长程无序 如非晶硅 有机半导体 电阻率10-14- 1Ωm 如聚乙烯咔唑 PVK 高温半导体 不难看出，材料的禁带宽度越大，相应器件的工作温度越高。这也是硅比锗优越的地方之一。当然硅比锗还有其他优点，例如二氧化硅有钝化及保护器件工作区作用、硅中氧沉淀可以用来进行内吸杂等。因此目前大多数器件都用硅制备。可以想象，禁带宽度比硅更大的化合物半导体的工作温度更高。 所以高温电子材料需要宽禁带半导体材料，如GaN、ZnO、SiC、金刚石等。 图显示集成电路从晶圆的 （a）拉晶； （b）制造； （c）切割； （d）封装； 完成的简易流程； 图（e）为单一晶粒的集成电路放大图标 集成电路生产的3个阶段 习惯以线路制造的最小线宽、晶片直径及DRAM（动态随机存储器）所储存的容量来评断集成电路的发展状况。 集成电路生产的3个阶段 硅晶片（wafer）的制造 集成电路的制作 集成电路的封装（Package） 集成电路制造工艺，包括： 氧化工艺 掺杂工艺 光刻工艺 P阱CMOS工艺 电连接时，P阱接最负电位，N衬底接最正电位，通过反向偏置的PN结实现PMOS器件和NMOS器件之间的相互隔离。P阱CMOS芯片剖面示意图见下图。 代客户加工（代工）方式 芯片设计单位和工艺制造单位的分离，即芯片设计单位可以不拥有生产线而存在和发展，而芯片制造单位致力于工艺实现，即代客户加工（简称代工）方式。 代工方式已成为集成电路技术发展的一个重要特征。 无生产线设计与代工方式的关系图（S图） 掩模与流片 代工单位根据设计单位提供的GDS-Ⅱ格式的版图数据，首先制作掩模（Mask），将版图数据定义的图形固化到铬板等材料的一套掩模上。 一张掩模一方面对应于版图设计中的一层的图形，另一方面对应于芯片制作中的一道或多道工艺。 在一张张掩模的参与下，工艺工程师完成芯片的流水式加工，将版图数据定义的图形最终有序的固化到芯片上。这一过程通常简称为“流片” 理解版图的层 版图metal层，刻画出金属连线 代工工艺 晶圆代工（Foundry）厂家很多，如： 无锡上华（0.6/0.5 ?m CMOS和4 ?m BiCMOS工艺) 上海先进半导体公司(1 ?m CMOS工艺) NEC(1.2/0.18 ?m CMOS工艺) 上海华虹NEC(0.35 ?m CMOS工艺) 上海中芯国际(8英寸晶圆0.25/0.18 ?m CMOS工艺) 其它还有海士力、宏力、日月光、台积电等。 * * 从已调信号中检出调制信号的过程称为解调或检波。用以完成这个任务的电路称为检波器。最简单的检波器仅需要一个二极管就可以完成，这种二极管就被称做检波二极管。 * 单晶体硅 多晶硅(Polycrystalline silicon) 多晶体的半导体硅材料。根据形态可分为棒状、块状及颗粒状多晶硅；根据共用途及纯度可分为直拉单晶用、区熔单晶用、探测器级、太阳电池级多晶硅。主要用途是作用单晶硅的原料，也可用作多晶硅太阳电池。 多晶硅材料 多晶硅技术：定向凝固法和浇铸法两种。 定向凝固法是将硅料放在坩埚中加以熔融，然后将坩埚从热场中逐渐下降或从坩埚底部通上冷源以造成一定的温度梯度，使固液界面从坩埚底部向上移动而形成晶锭。 浇铸法是将熔化后的硅液从坩埚中倒入另一模具中凝固以形成晶锭。 硅材料有待发展的领域 发光领域（光通讯） 如光发射二极管，激光二极管 锗单质呈银灰色的金属光泽 物理性质：质硬而脆，性质与硅相似，Eg=0.66eV, 间接能隙，电子迁移率：3800cm2/Vs 化学性质:锗不与强碱溶液作用 可溶于热浓硫酸、浓硝酸、王水和HF-HNO3、NaOH-H2O2（腐蚀液） Ge+2H2O2+2NaOH = Na2GeO3+3H2O 高温下，锗相当活泼，可与氧直接化合生成粉末状的GeO2。 2.2.1.2. 　本征半导体与掺杂半导体 本征半导体（intrinsic semiconductor）：未掺杂的半导体(掺杂低于10-9)，低温下电子处于束缚态，电导率低。在外界的光或热的作用下，产生自由电子（free electron）与空穴（hole） 半导体中的掺杂 在实际所用的半导体材料中，特别是电子材料中，往往掺有一种或两种杂质以获得特定的电性能。 常温下本征半导体导带中电子的浓度较小，例如硅本征载流子浓度只有10×1010cm-3的量级，因此极其微量施主或受主杂质的掺入即可大大改变它的导电性能。 只要在硅中掺入亿分之一（10×1014cm-3）的施主杂质,并假定这些杂质上的电子全部进入导带，则导电能力可增加几万倍。因此掺杂对半导体器件生产是很重要的一个步骤。 本征半导体单位体积内载流子数目比较小，需要在高温下工作 对本征