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Despatch烧结炉简介 二期C班工艺 李 明 2011-6-22 ◆烧结炉构造简介 1.烧结炉结构布局 2.热排和有机排 3.烘干区 4.烧结区 5.冷却区 6.烧结原理 ◆烧结炉操作说明 1.操作界面说明 2.烘干区气流量控制 3.烧结区气流量控制 目录 Despatch烧结炉构造简介 结构布局： Despatch烧结炉分为烘干区和烧结冷却区两个主要部分。依次为：烘干区有机排、热排、烘干一区至四区、冷凝管、热排、烧结一区至六区、有机排（5\6烧结区）、热排、水冷区、风冷区。 烧结炉的烘干区和烧结区之间是断开的，有大概45cm，炉带上方有冷凝抽风管。 快速热升温（≥150℃/sec） 增强冷却性能（＞150℃/sec） 炉腔内温度稳定性高（±2℃） 软启动 闭路温度控制 增强的软件设置管理 先进的用户图形操作界面 主生产控制界面 数据记录 冗杂温度过高自动关机 硅片阴影最小化设计 可安全，简便地使用工作室 与视线齐平的电子装置，易于维护 Despatch烧结炉-特点 在烧结炉的烘干区有一个有机排和热排，烘干区烧结区连接处有冷凝器,烧结区有3个热排(烧结入口处有一个热排,水冷风冷区有2个热排)，5\6烧结区2个有机排,热排使内部氛围与外界空气相隔绝。 ①热电偶：探测有机排内废气的温度。 ②有机排：烘干过程中产生的有害有机废气经过加热并点燃焚烧，然后再由外围设备抽走。 热排和有机排 烘干区共有8个腔体，每两个腔体组成一个温区，共4个温区。每个温区的上部有一个热电偶。每个腔体内上下各有一个进气口，缓缓向腔体内渗入压缩空气，即每个温区内上下各有两个进气口，上面两个进气口是相通的，可以控制气流量的大小，同样下面两个进气口也是相通的，也可以控制气流量的大小。每个腔体的上部有6个加热管，每个腔体的下部是有石棉围成的保温腔。 ①热电偶：每一个烘干区各有一个独立的热电偶对温度进行监控和测量。 ②压缩空气进气口： ③烘干腔体下半部分：内部为石棉构成的空间，起保温作用 ④烘干腔体上半部分：内部为加热管 烘干区 烧结区 烧结区共有6个腔室。每个腔室为一个温区。每个温区各有一个热电偶，对温度进行监控和测量。每个腔室的上下各有一个压缩空气进气口，每两个腔室的进气口是相联通的，即烧结1区和2区的上部进气口是相通的，并可以控制气流量的大小。同样，烧结1区和2区的下部进气口也是相通的，并可以控制气流量的大小。烧结3~6区的上部（下部）两个进气口也是相通的，并可以个独立控制气流量大小。 ①烧结炉废气排放口和集油盒：在烧结区前端和后端各有一个废气排放口，其中集油盒可以定期清洗一下，防止废油滴到电池片上。 ②压缩空气进气口③热电偶④烧结区加热管 ⑤烧结1区⑥烧结2区⑦烧结3区和4区⑧烧结5区和6区 冷却区 冷却区分为水冷区和风冷区。 ①水冷区是通过循环冷水，吸收电池片的热量 ②风冷区是用冷却的空气进一步降低电池片的温度。 水冷区 风冷区 烧结曲线 烧结原理 采用一次烧结的共烧工艺，同时形成上下电极的欧姆接触。银浆、银铝浆、铝浆印刷过的硅片，经过烘干使有机溶剂完全挥发，膜层收缩成为固状物紧密粘附在硅片上。当电极金属材料和半导体硅加热达到共晶温度时，硅原子以一定的比例溶入到熔融的合金电极材料中。温度降低，系统冷却形成再结晶层，溶入到电极金属材料中的硅原子重新以固态形式结晶出来，在金属和晶体接触界面上生长出一层外延层，形成欧姆接触。 烘干 烧结 风冷 水冷 烧结曲线 烧结原理 Despatch 烧结工艺包括四个阶段： (1)有机物燃烧段，(2)预热段，(3)烧结段，(4)降温段。 (1)有机物燃烧段：设定温度在100-350℃，设定温度过高，浆料 中的有机物挥发速度过快，造成金属颗粒之间疏松，造成烧结后R电极和R接触过大；若温度设置过低，导致有机物燃烧不完全，引起以上问题。 (2)预热段：设定温度在350-600℃，使背电场和背电极升高到一定温度。 (3)烧结段：设定温度600以上，其决定了烧结过程中银硅合金，铝硅合金中金属原子的浓度，对正电极和背电场以及Rs，FF影响非常大。设定温度过高，会使正电极烧穿，设定温度过低，Isc和FF下降，Rs升高，EFF下降。 烧结段是烧结的核心。 烧结炉操作 界面说明： 10 15 14 13 12 11 6 7 8 9 3 4 5 1 20 18 16 2 17 19 烧结炉操作 1 .System Status :Displays current state of heaters, conveyor and utilities