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PECVD薄膜制备技术在制备 石墨烯方面的应用研究 目 录 摘要 2 Abstract 3 简介 6 1、等离子体化学气相沉积技术 6 1.1、等离子体增强化学气相沉积的主要过程 6 1.2、PECVD--等离子体化学气相沉积法工作原理 7 1.3、实验机理： 8 1.4、几种PECVD装置 8 1.5、优缺点 9 2、石墨烯的发展 9 2.1、石墨烯的概念 9 2.2、石墨烯的特点 10 2.3、石墨烯的制备方法 10 2.3.1、剥离石墨法 10 2.3.2直接生长法 11 2.3.3、碳纳米管转换法 12 3、PECVD 和 MW PECVD制备石墨烯 12 3.1、PECVD法制备石墨烯 12 3.1.1、实验 12 3.1.2结论和讨论 13 3.2、MW PECVD制备石墨烯 14 3.2.1、实验过程 14 3.2.2、结论 14 3.2.3、讨论 16 4、总结 17 参考文献: 17 摘要： 石墨烯或许是目前发现在微电子领域最有前景的材料，但它的制备包括或高温处理或薄膜转移的过程，并且有时二者皆有，这就阻碍了将它引进生产领域。因此，一种便捷且便宜并可大量生产石墨烯的生产线迫在眉睫。此文中首先介绍了PECVD薄膜制备技术的主要过程、工作原理、实验机理Graphene is perhaps the most promising material ever discovered for microelectronics applications, but its preparation includes either high-temperature processing or film transfer, and sometimes both of them, which forbid for the moment its introduction into fabrication lines. So, an easy and cheap route for mass production is an essential requirement. In this paper, first, we report the PECVD film preparation technology of main process, working principle, experiment mechanism, several devices and their advantages and disadvantages; then introduces the development process of grapheme; finally we reported graphene synthesis by PECVD film preparation technology directly on a dielectric substrate at low temperature and using MW PECVD method growth several layers of grapheme (FLG) of the experimental process, characterization and discuss. Key words: PECVD MW PECVD graphene PECVD薄膜制备技术在制备 石墨烯方面的应用研究 简介 化学气相沉积在半导体材料和器件的制备中具有重要的用途的研究热点并且在低成本的大型电子产品的应用很有前景，比如太阳能光电板和微电子等，同时它也为材料科学和凝聚态物理开辟了新的研究领域。然而，高质量的结晶石墨烯薄膜仍没有一个可靠的、低成本的详尽的方法，在制备石墨烯器件的道路上的障碍之一是缺乏大量生产石墨烯的方法。 传统的用微机械剥离HOPG石墨的方法，虽然可以生产高质量的石墨烯并可以将它广泛应用于在实验室中探测石墨烯的物理特性，但一般只能生产单层、二层或三层的石墨烯薄片，而且不适合用于大面积的生产石墨烯。 基于CVD的方法，一般需要在1000°C甚至高于1000°C的温度下实现并且需要移除用来生长石墨烯催化剂层，这意味着必须要有转移的过程。 迄今为止，提供具有良好的重复性和直接在具有兼容性的衬底（是为了进一步的深加工）上生产石墨烯的技术已经出现，比如在碳化硅上外延生长或者用石墨烯片的悬浮液沉积。这两种方法并不能直接转移到微电子工业生产，第一种方法由于它需要用昂贵的衬底并且实现温度高于1500°C ，而第二种方法因为生产出的石墨烯薄膜的迁移率较低。 目前的工作是基于这样的中心思想，用PECVD或者MW PECVD生产石墨烯，这两种方法的优点是：（1）实验温度不高；（2）