[工学]第五部分 热辐射探测器件.pptVIP

2. 热释电器件的工作原理 设晶体的自发极化矢量为Ps，Ps的方向垂直于电容器的极板平面。接收辐射的极板和另一极板的重迭面积为Ad。由此引起表面上的束缚极化电荷为 Q = AdΔσ=AdPs (5-35) 若辐射引起的晶体温度变化为ΔT，则相应的束缚电荷变化为 ΔQ =Ad(ΔPs/ΔT)ΔT =? AdγΔT (5-36) 式中，γ = ΔPs/ΔT称为热释电系数，其单位为c/cm2?K，是与材料本身的特性有关的物理量，表示自发极化强度随温度的变化率。 若在晶体的两个相对的极板上敷上电极，在两极间接上负载RL，则负载上就有电流通过。由于温度变化在负载上产生的电流可以表示为 (5-37) 式中，为热释电晶体的温度随时间的变化率，温度变化速率与材料的吸收率和热容有关，吸收率大，热容小， 则温度变化率大。 通常热释电器件的电极按照性能的不同要求做成如图5-16所示的面电极和边电极两种结构。在图5-16（a）所示的面电极结构中，电极置于热释电晶体的前后表面上, 其中一个电极位于光敏面内。 这种电极结构的电极面积较大，极间距离较少，因而极间电容较大，故其不适于高速应用。此外，由于辐射要通过电极层才能到达晶体，所以电极对于待测的辐射波段必须透明。在图5-16（b）所示的边电极结构中，电极所在的平面与光敏面互相垂直，电极间距较大，电极面积较小，因此极间电容较小。由于热释电器件的响应速度受极间电容的限制，因此，在高速运用时以极间电容小的边电极为宜。 热释电器件产生的热释电电流在负载电阻RL上产生的电压为 (5－38) 可见，热释电器件的电压响应正比于热释电系数和温度的变化速率dT/dt，而与晶体和入射辐射达到平衡的时间无关。 如果将热释电器件跨接到放大器的输入端，其等效电路为如图5-17所示。由等效电路可得热释电器件的等效负载电阻为 (5－39) 这里，R(=Rs//RL)和C(=Cs+CL)分别为热释电器件和放大器的等效电阻和等效电容。则RL的模值为 (5－40) 对于热释电系数为λ，电极面积为A的热释电器件，其在以调制频率为ω的交变幅射照射下的温度可以表示为 (5－41) 式中，T0为环境温度，ΔT0表示热释电器件接收光辐射后的平均温升，表示与时间相关的温度变化。于是热释电器件的温度变化率为 (5－42) (5－43) 输入到放大器的电压为 由热平衡温度方程（参见5.1节）可知 式中，τH＝H/G为热释电器件的热时间常数。 将(5－44)代入(5－43)式，可得输出电压的幅值为 式中，τe＝RC为电路时间常数，R =Rs∥RL，C=Cs＋CL。τT =CH/G为热时间常数。τe、τT的数量级为0.1～10s左右。Ad为光敏面的面积，α为吸收系数，ω为入射辐射的调制频率。 5.3.2 热释电器件的灵敏度 根据光电器件灵敏度的定义，热释电器件的电压灵敏度Sv为输出电压的幅值U与入射光功率之比，由式(5－45)可得电压灵敏度为 (5－46) 分析式(5－46)可以看出 (1) 当入射为恒定辐射，即ω＝0时，Sv=0，说明热释电器件对恒定辐射不灵敏； (2) 在低频段ω＜1/τT或1/τe时，灵敏度S v与ω成正比，为热释电器件交流灵敏的体现。 (3) 当τe ≠ τT时，通常τe＜τT，在ω＝1/τT ~ 1/τe范围内，Sv与ω无关； (4) 高频段（ω＞1/τT、 1/τe）时，Sv则随ω-1变化。 因此在许多应用中，该式的高频特性近似为 (5－47) 即灵敏度与信号的调制频率ω成反比。 5.3.3 热释电器件的噪声 热释电器件的基本结构是一个电容器，因此输出阻抗很高，所以它后面常接有场效应管，构成源极跟随器的形式，使输出阻抗降低到适当数值。因此在分析噪声的时候，也要考虑放大器的噪声。这样，热释电器件的噪声主要有电阻的热噪声、温度噪声和放大器噪声等。 图5-18给出了不同负载电阻RL下的灵敏度频率特性，由图可见，增大RL可以提高灵敏度，但是，频率响应的带宽变得很窄。应用时必须考虑灵敏度与频率响应带宽的矛盾，根据具体应用条件，合理选用恰当的负载电阻。 热噪声电压为 (5－50) 当ωτe ＞＞1时，上式可简化为 2 2 (5－51) 表明热噪声电压随调制频率的升高而下降。 2. 放大器噪声 式中，k为波耳兹曼常数，TR为器件的温度，Δf为系统的带宽。