太阳能光伏利用研究报告.pptVIP

太阳能光伏利用;目 录;太阳能电动车;n型掺杂：掺杂原子的价电子数比替代原子的多，从而使得半导体具 有多余的电子而显负电； P型掺杂：掺杂原子的价电子数比替代原子的少，从而使得半导体具 有多余的空穴而显正电；; 通常把PN结附近这些电离施主和电离受主所带的电荷成为空间电荷，它们所存在的区域成为空间电荷区。空间电荷区的电荷产生从N到P的电场，称为内电场。内电场的存在促使n区的空穴向p区漂移，p区的电子向n区漂移。因此，内电场具有促进少子漂移，抑制多子扩散的作用，二者最终达到动态平衡，此时的PN结成为平衡PN结。 ; 光生伏特效应：用适当波长的光照射半导体PN结时，PN结吸收一定的光子后激发出光生载流子（电子—空穴对），电子空穴对在内电场的作用下很快分离，电子与空穴分别集中n区和p区,PN结两边的异性电荷的积累形成光生电动势.如将PN结短路，会出现电流。这种由内电场引起的光电效应，即为光生伏特效应。 入射光照射PN结时，由本征吸收在结的两边产生电子—空穴对。在光激发下多数载流子的浓度一般改变较小，而少数载流子的浓度变化很大，因此主要研究光生少数载流子的运动。 ; 光伏效应产生的光生电动势的方向与内建电场相反,因此它的一部分可与内建电场相抵消,其余部分则可使p区带正电,n区带负电;,相当在p-n结两端加正向电压，当外电路接通时,即可产生电流。 ;太阳能电池的发电过程;栅线;太阳能电池性能参数;填充因子;太阳能电池的能量转化效率;太阳能电池的发展;太阳能电池的分类;;§1、硅太阳能电池;单晶硅太阳能电池的制造工序;单晶硅电池生产过程;作为原料的硅在地壳中丰富，对环境基本没影响 单晶制备以及pn结的制备都有成熟的集成电路工艺左保证 硅的密度低，材料轻，即使是50um一下的厚度的薄板也有很好的强度。 与多晶硅、非晶硅比较，转换效率高 电池工作稳定，已实际用于人造卫星等方面，并且可以保证20年以上的工作寿命。;?;多晶硅太阳能电池;多晶硅与单晶硅材料的差别主要是多晶硅内存在许多晶粒间界。这给多晶硅太阳能电池带来以下三方面影响： 晶粒间界处存在势垒，阻断载流子的通过 晶粒间界作为一种晶体缺陷，起着有效复合中心的作用 在形成pn结的工艺过程中，掺杂的原子会沿着晶粒间界向下择优扩散，形成导电分流路径，增大漏电流。;为尽力减小晶粒间界的影响，使多晶硅太阳能电池具有合适的光电转换性能，对多晶硅片有如下要求： 1、材料中绝大多数晶粒必须是柱状，以便光生载流子朝上、下方向运输与积累 2、粒径横向尺寸越大越好，至少应大于少子扩散长度。一般希望该尺寸大于几个毫米 ?;多晶硅太阳能电池制备过程;非晶硅太阳能电池;*;CNR模型示意图; 非晶材料中含有大量悬挂键，因而有很高的缺陷态密度，它们提供了电子和空穴复合的场所，所以，一般说，非晶硅是不适合做电子器件的。;非晶硅室温电导率随掺杂浓度的变化;非晶硅太阳能电池的优点;2、非晶硅的禁带宽度比单晶硅大，随制备条件的不同约在1.5~2.0eV的范围内变化，这样制备的太阳能电池的开路电压高 2、工艺和设备简单，淀积温度低，时间短，适合大批生产 4、不要求周期性原子排列，可以不考虑制备晶体所必须考虑的材料与衬底间的晶格失配问题。因而它几乎可以淀积在任何衬底上，包括廉价玻璃衬底，并且易于实现大面积化。;三种硅基太阳能电池的性能比较; (1) CIS/ CIGS 薄膜太阳能电池 CIS（铜-铟-硒）太阳能电池 CIGS铜铟镓硒太阳能电池 价格低廉、性能良好和工艺简单；铟和硒都是比较稀有的元素 (2) CdTe太阳能电池(碲化镉)：镉有剧毒，会对环境造成严重的污染 (3) GaAs太阳能电池：砷化镓（GaAs）III-V化合物电池的转换效率可达28%，GaAs化合物材料具有十分理想的光学带隙以及较高的吸收效率，抗辐照能力强，对热不敏感，适合于制造高效单结电池。但是GaAs材料的价格不菲，因而在很大程度上限制了用GaAs电池的普及。 ;§3、有机化合物薄膜太阳能电池; 工作原理：染料分子吸收太阳光能跃迁到激发态，激发态不稳定，电子快速注入到紧邻的TiO2 导带，染料中失去的电子则很快从电解质中得到补偿，进入 TiO2 导带中的电于最终进入导电膜 ， 然后通过外回路产生光电流。 ; 以有机聚合物代替无机材料是刚刚开始的一个太阳能电池制造的研究方向。由于有机材料柔性好，制作容易，材料来源广泛，成本低等优势，从而对大规模利用太阳能，提供廉价电能具有重要意义。能否发展为具有实用意义的产品，还有待于进一步研究探索。 ;发展现状