[应用文书]退火工艺对PLT薄膜结晶性能的影响.pdfVIP

( ) 2005 年 10 月 四川大学学报 自然科学版 Oct . 2005 第 42 卷增刊 2 Journal of Sichuan U niver sity (N at ural Science Edition) Vol . 42 　Issue 2 文章编号 : (2005) 0z2047704 退火工艺对 PL T 薄膜结晶性能的影响 刘洪 ,蒲朝辉 ,吴家刚 ,朱基亮 , 肖定全 ,朱建国 ( 四川大学材料科学系 ,成都 6 10064) ( ) ( ) 摘要 :用射频磁控溅射法在 Si 100 衬底上制备了掺镧钛酸铅 PL T 铁电薄膜. 研究了不同退 火工艺对 PL T 薄膜结构的影响. 发现在 PbO 气氛下退火能很好地抑制铅的挥发而得到具有 钙钛矿结构的 PL T 薄膜. 随着退火温度的逐渐升高 ,PL T 薄膜的相经历了钙钛矿相焦绿石相 共存 →纯钙钛矿相 →钙钛矿相焦绿石相共存的变化. 探讨了焦绿石相的结构在铁电薄膜中的 成因. 发现随着退火温度的逐渐升高 , PL T 薄膜的晶粒逐渐增大 ,钙钛矿相质量百分比越高 , ( ) 轴比 c/ a 也越大 ,PL T 薄膜的铁电性越强. 关键词 : 掺镧钛酸铅 ;铁电薄膜 ;退火 中国分类号 :O484 文献标识码 :A 1 　引言 　　铁电薄膜具有一系列重要特性 ,如介电性 、铁电开关效应 、压电效应 、热释电效应 、电光效应 、声光效 应 、光折变效应和非线性光学效应等[ 1 ] ,利用这些效应可制成不同的功能器件. 铁电薄膜的制备 、表征和 应用已经成为当前新材料与器件研究的前沿和热点之一. ( ) ( ) 掺镧钛酸铅 Pb ,L a TiO3 PL T 铁电薄膜是一类重要的功能薄膜材料 ,具有优异的电子学和光学特 [2 ] 性 ,尤其是具有优良的热释电特性 ,因此在红外传感器和红外探测器 领域有着广阔的应用前景. 铁电薄 ( ) ( ) ( ) 膜制备技术主要有溶胶凝胶 SolGel 法 、化学气相沉积 CVD 法 、溅射 sp uttering 法 、金属有机化合物热 ( ) ( ) ( ) 分解沉积 MOD 法 、金属有机物化学气相沉积 MOCVD 法 、分子束外延 MB E 法 、液态源雾化化学沉积 ( ) ( ) [3 ,4 ] L SMCD 法以及脉冲激光沉积 PLD 法等 ,这些先进的铁电薄膜制备技术为铁电薄膜集成器件的发 展开辟了道路. 在较低温度的基片上生长了铁电薄膜后 ,一般需要做退火处理以使铁电薄膜从非晶态转化为晶态 ,退 火工艺对铁电薄膜的结晶性能具有重要的影响 ,Osamu Arisumi 等人研究了在 Ar 气氛下和在 O 气氛下对