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半导体三极管 第 2 章 2.1　双极型半导体三极管 2.1.1 晶体三极管 2.1.2 晶体三极管的特性曲线 2.1.3 晶体三极管的主要参数 (Semiconductor Transistor) 第 2 章　半导体三极管 2.1.1 晶体三极管 一、结构、符号和分类 N N P 发射极 E 基极 B 集电极 C 发射结 集电结 — 基区 — 发射区 — 集电区 emitter base collector NPN 型 P P N E B C PNP 型 分类： 按材料分： 硅管、锗管 按结构分： NPN、 PNP 按使用频率分： 低频管、高频管 按功率分： 小功率管 500 mW 中功率管 0.5 ?1 W 大功率管 1 W E C B E C B 二、电流放大原理 1. 三极管放大的条件 内部 条件 发射区掺杂浓度高 基区薄且掺杂浓度低 集电结面积大 外部 条件 发射结正偏 集电结反偏 2. 满足放大条件的三种电路 ui uo C E B E C B ui uo E C B ui uo 共发射极 共集电极 共基极 实现电路 ui uo RB RC uo ui RC RE 第 2 章　半导体三极管 3. 三极管内部载流子的传输过程 1) 发射区向基区注入多子电子， 形成发射极电流 IE。 I CN 多数向 BC 结方向扩散形成 ICN。 IE 少数与空穴复合，形成 IBN 。 I BN 基区空 穴来源 基极电源提供(IB) 集电区少子漂移(ICBO) I CBO IB IBN ? IB + ICBO 即： IB = IBN – ICBO 3) 集电区收集扩散过来的载流子形成集电极电流 IC IC I C = ICN + ICBO 2)电子到达基区后 (基区空穴运动因浓度低而忽略) 三极管内载流子运动 第 2 章　半导体三极管 4. 三极管的电流分配关系 　　当管子制成后，发射区载流子浓度、基区宽度、集电结面积等确定，故电流的比例关系确定，即： IB = I BN ? ICBO IC = ICN + ICBO IE = IC + IB 穿透电流 第 2 章　半导体三极管 2.1.2 晶体三极管的特性曲线 一、输入特性 输入 回路 输出 回路 与二极管特性相似 RC VCC iB IE RB + uBE ? + uCE ? VBB C E B iC + ? + ? + ? iB RB + uBE ? VBB + ? O 特性基本重合(电流分配关系确定) 特性右移(因集电结开始吸引电子) 导通电压 UBE(on) 硅管： (0.6 ? 0.8) V 锗管： (0.2 ? 0.3) V 取 0.7 V 取 0.2 V VBB + ? RB 第 2 章　半导体三极管 二、输出特性 iC / mA uCE /V 50 μA 40 μA 30 μA 20 μA 10 μA IB = 0 O 2 4 6 8 4 3 2 1 截止区： IB ? 0 IC = ICEO ? 0 条件：两个结反偏 2. 放大区： 3. 饱和区： uCE ? u BE uCB = uCE ? u BE ? 0 条件：两个结正偏 特点：IC ? ? IB 临界饱和时： uCE = uBE 深度饱和时： 0.3 V (硅管) UCE(SAT)= 0.1 V (锗管) 放大区 截止区 饱 和 区 条件：发射结正偏 集电结反偏 特点：水平、等间隔 ICEO 输 出 特 性 第 2 章　半导体三极管 三、温度对特性曲线的影响 1. 温度升高，输入特性曲线向左移。 温度每升高 1?C，UBE ? (2 ? 2.5) mV。 温度每升高 10?C，ICBO 约增大 1 倍。 2. 温度升高，输出特性曲线向上移。 O T1 T2 iC uCE T1 iB = 0 T2 iB = 0 iB = 0 温度每升高 1?C，? ?(0.5 ? 1)%。 输出特性曲线间距增大。 O 第 2 章　半导体三极管 2.1.3 晶体三极管的主要参数 一、电流放大系数 1. 共发射极电流放大系数 iC / mA uCE /V 50 μA 40 μA 30 μA 20 μA 10 μA IB = 0 O 2 4 6 8 4 3 2 1 — 直流电流放大系数 ? — 交流电流放大系数 一般为几十 ? 几百 2. 共基极电流放大系数 ? ? 1 一般在 0.98