薄膜生长的三维蒙特卡罗模型-中国力学学会.pdfVIP

薄膜生长的三维蒙特卡罗模型∗ 朱祎国 （大连理工大学工业装备结构分析国家重点实验室，大连理工大学工程力学系） 摘要：构造了三维蒙特卡罗模型来研究了六边形基底薄膜生长的整个过程，模型中考虑了针对每个原子的三个动力 学过程：原子沉积、原子扩散及原子脱附，并且认为这三个过程是相互独立的，即在同一计算步长中，三个过程依 据各自的概率发生。经过生长过程可视化的结果表明，薄膜原子之间的相互作用能、基底温度及沉积速率对薄膜的 生长方式有显著影响，这一结论也得到了实验的验证。 关键词：薄膜生长，三维Monte Carlo模型，生长方式，形貌 1. 引言 薄膜材料以其特有的物质形态及性能在电子工业、化学工业、航空航天技术、微机械等领域得 到广泛的应用，因此，对于薄膜材料的研究越来越引起人们的关注。薄膜制备的质量与生长过程中 沉积原子的动力学过程有极大的关系，因此在原子尺度上去研究这些动力学过程，对理解生长过程， [1] 控制生长条件从而为改善薄膜和低维纳米结构的制造工艺具有直接的重要意义 。 薄膜生长方式主要有三种，即层状生长（FM生长方式），岛状生长（VW生长方式）及层岛状生 长（SK生长方式）。若要制备出平滑均匀的薄膜则需要薄膜的生长方式为层状生长，因此研究薄膜 在整个制备过程中的生长过程是十分必要的。 由于薄膜生长过程是典型的随机动力学过程，Monte Carlo方法很自然地被应用于研究薄膜生长 [2] [3] ，Bruschi等人 提出的二维Monte Carlo模型比较详细的考虑了薄膜生长过程中的影响因素，包括 基底温度，覆盖度等对薄膜生长形貌的影响，该模型仅考虑薄膜的亚单层生长，不能描述薄膜的完 整生长过程。将沉积过程与扩散及脱附过程分开来讨论，刘祖黎等[2]构造了新的二维Monte Carlo模 型，并应用该模型研究了基底表面形状、粒子入射的剩余能量以及表面缺陷对薄膜生长过程的影响。 杨宁等人[4]应用原子间的Morse势在四边形基底网格中研究了薄膜的生长过程，在他们的模型中同样 考虑的是基底表面上第一层原子的形貌及尺寸。针对Bruschi等人的模型中描述原子扩散过程中势垒 计算，张佩峰等人[5]提出了新的原子扩散模型来研究薄膜在四边形基底材料表面的生长过程，得到 了一些有趣的结果。刘祖黎等人[6]应用Born-Mayer形式的扩散势垒研究了薄膜在四边形基底网格上 的三维生长，重点研究了沉积粒子的入射角、能量及沉积速率对薄膜生长的影响。 本文基于作者构造的Monte Carlo模型[7]模拟了薄膜在六边形基底上的整个三维生长过程。在模 型中考虑了薄膜生长过程中原子的三个动力学过程，及原子沉积、原子扩散及原子脱附，并且认为 这三个过程是相互独立的。即在同一计算步长内，三个过程依据各自的概率发生，而不是将沉积过 程与扩散过程及脱附过程分开来讨论，也就是说在整个薄膜生长过程中，三个动力学过程是相互影 响的。同时，在沉积及扩散过程中，我们选择原子所占据的位置为下层中的非三重空位，并通过计 算结果的可视化来显示薄膜生长过程中的形貌。 2. 蒙特卡罗模型 薄膜材料的生长过程中，沉积原子主要发生的动力学过程包括：（1）沉积原子沉积到基底表面 成为吸附原子（Adatoms ）；（2 ）吸附原子的扩散，即在基底表面移动到能量相对稳定的位置；（3 ） ∗国家重点基础研究发展计划(973)项目(2005CB321704)资助. Email:zhuyg@dlut.edu.cn 吸附原子从基底表面脱附（Revaporation ）。在应用蒙特卡罗模型来模拟薄膜生长的过程中最重要的 就是要知道与上述三个动力学过程对应的速率，即沉积速率，扩散速率及脱附速率。 沉积速率Rd 是指单位时间内沉积到单位基底表面的原子数[2,3] ，一般在沉积超薄膜的实验中， F N N × 用单位时间所沉积的单层薄膜数来表示沉积速率 (单位:ML/ s)。若基底有 个格点,沉积速率 Rd 与沉积速率F 满足下面关系：