声表面波对GaAs110量子阱发光特性的调制-物理学报.PDFVIP

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2018-06-06 发布于天津
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声表面波对GaAs110量子阱发光特性的调制-物理学报

第卷第期年月物理学报 99 @ //8 @ ，，， +2 %99 N+ % @ 1C1,* //8 （） !///3.I/Q//8Q99 /@ Q-.03/9 MP $VW’OM ’ONOM #//8 MFB) % $FD, % ’+G % !!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!! 声表面波对（）量子阱发光特性的调制 !#$ %% ）））杨光! # $ % % ’()*+, !）（华中科技大学光电子科学与工程学院，武汉 -.//0- ））（固体电子学研究所，德国柏林） $ 43!/!!0 （年月日收到；年月日收到修改稿） //8 ! ! //8 . .! 结合声表面波和光致发光谱在低温（）下对非故意掺杂的（）量子阱结构的发光特性进行了研究实 !9 : ;(, !!/ % 验结果表明，由于声表面波的作用（）量子阱的发光强度减弱，并且其对应的重空穴能级出现了分裂的现 ;(, !!/ 象，当施加的声波强度达到时，能级分裂达到了进一步讨论了声表面波对（）量子阱 ! / 6? !/ ?7 % ;(, !!/ 5= ! 圆偏振光自旋注入的影响% 关键词：发光，量子阱，声表面波，自旋极化 ;(, ：， ’#(( 0@99 0./4 本文通过光致发光谱研究了声表面波对生长在（）衬底上非故意掺杂的（）量子阱 !H 引言 ;(, !!/ ;(, !!/ 光学性质的影响，进一步讨论了（）量子阱 ;(, !!/ 在低维半导体量子阱材料中，对;(, 量子阱的的光学自旋注入的情况% 研究最为广泛，尤其最近几年对其自旋电子学特性