金属陶瓷颗粒复合系统导电机理课题研究报告.docVIP

金属陶瓷颗粒复合系统导电机理课题研究报告.doc

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金属陶瓷颗粒复合系统导电机理课题研究报告.doc

《金属/陶瓷颗粒复合系统导电机理课题》研究报告 林染012002000619 叶纬012002000630 李吉012002000616 华中科技大学物理系 0203班 一 宏观研究——渗流现象和渗流曲线的绘制: 1 理论准备: 导电体与绝缘体的复合,必然存在下列现象:当导电相含量较低时,导电粒子无规则地弥散在绝缘相中,复合体的导电率很小,与绝缘相的导电率接近;随导电相的增加,导电颗粒将聚集成较大的团簇,在某个临界含量,导电颗粒将相互连接成一个无限的团簇,形成一个导电通路,复合体的导电率快速增加,发生非线性突变;随导电相的进一步增加,复合体的电导率快速接近导电相的电导率。 根据渗流理论,在渗流阈值附近,存在一个特征相关长度,其中P为导电相所占的比例,P为渗流阈值,标度假设表明复合体的一些物理性质同相关长度存在一个指数依赖关系,如有效电导率可用如下的标度律来表示: 其中临界指数t和s被假定是普适的,即临界指数主要取决于渗流系统的维数,不依赖于系统的几何结构或相互作用的详情,以体积分量V 替代P,临界体积分量 V替代P,复相陶瓷的电导率可分别表示如下: (1)当VV 时,导电相形成连续的渗流通路,复相陶瓷的电导率主要由导电相的电导率以决定: 临界指数依赖于维数,二维系统 t=1.1~l.3,三维系统 t=l.6~2.0,六维系统 t=3。 (2)VV 时,导电相未形成连续的渗流通路,复相陶瓷的电导率主要取决于大量但有限的相邻导电簇之间的问隙,也即取决于间隙内的绝缘体的电导率 : 二维系统中临界指数s=1 1~1.3,三维系统中S=0.7~1.0。其中临界指数主要是用来描述复相材料电导率的发散行为的。 (3)当时,因为实际的复合材料的电导率是有限的,所以以上二式均不适合,只有把二式综合考虑,才能去描述临界区域狭窄地带,若 V=V ±,则: 2实验: a.实验设计方案: 将选取的两种材料——铜(组成高导相)和二氧化钛(组成低导相)按组成比例充分均匀混合,用压片机压制成片,分别测量不同组分的二相混合材料的电导率,以获得渗流特性曲线。 b.实验数据: (实验中的混合物组分比例均为近似值。各组分的混合物样品均在6MPa的压强下压制而成。) Mass ratio of Cup and TiO2p(approximately) M of Cup(mg) M of TiO2p(mg) R (Ω) 0 0 2404.5 846500 1/9 206.2 1784.2 792600 2/8 490.4 1585.1 722400 3/7 601.1 1385.6 1.400 4/6 802.5 1209.1 0.780 5/5 1001.4 1002.3 0.290 6/4 1206.3 803.4 0.145 7/3 1403.3 598.5 0.096 8/2 1603.3 501.4 0.034 9/1 1805.6 209.5 0.013 infinitude 2029.3 0 0.006 c.渗流曲线及说明: 观察此图像,容易发现在铜粉比率约在30%处混合物电阻快速降低。显而易见,在铜粉比率30%左右时,混合物中因为铜粉颗粒相接触而形成了导电网络使整个混合物导电性发生了巨大改变。而在铜粉比率进一步增加时,混合物电阻则由于导电网络规模进一步增大而进一步降低。(在此图像中,因为精度不够而无法分辨) d.思考及问题的提出: (1)在铜比率低于30%时,随着铜比率的上升,混合物的电阻下降也是明显的,这是由什么原因造成的? (2)渗流理论并不涉及导电的本质,只是从宏观角度来解释复合材料的导电现象。聚合物基导电复合材料的导电机理到底是什么? (3)在这次实验中,我们用了压片的方法制作样品,这和以前几乎都采用烧结方法制作实验样品的方法的优劣如何? (4)导致混合物中导电网络的形成的因素是铜粉颗粒之间的距离吗?在铜比率远远低于30%时,铜粉颗粒间距对混合物电导率的影响是怎样的? 为了回答上述问题并结合渗流现象实验的特点我们开始深入探讨聚合物基导电复合材料的导电机理。 二.微观机理研究——渗流阈值前后二相混合物导电机理:隧道效应理论和描述导电网络形成的渗流理论。 1.理论准备: a.渗流阈值之前(隧道效应理论): 在二元组分导电复合材料中,当高导组分含量较低(在渗滤域值附近)时,隧道导电效应对材料的导电行为影响较大。隧道理论认为,材料导电依然有导电网络形成的问题,但不是靠导电粒子直接接

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