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§2.7 半导体激光器 §2.7 半导体激光器 一、半导体中电子的能带分布 二、半导体激光器的工作原理 三、砷化镓(GsAs)激光器的特性 四、典型的半导体激光器 (1)内芯结构 (2)外形结构 砷化镓激光二极管 6.半导体激光器的基本结构 1.伏安特性 GsAs激光器如图所示。 2.影响阈值电流的因素 (1)晶体掺杂的浓度越大，阈值越小； (2)谐振腔的损耗越小，阈值越小； (3)在一定范围内，腔长越长，阈值越低； (4) 在100K以下，阈值与温度的关系较小，100K以上，阈值随温度T的三次方增加。 砷化镓激光器的伏安特性 反向电压 正向电压 I 3.方向性 由于的谐振腔较短，所以激光的方向性较差，特别是在结的垂直平面内，发散角很大，可达20o～30o。在结的水平面内，发散角约为几度。 4.光谱特性 (1) 低于阈值 荧光光谱，谱宽一般为几百埃。 (2) 达到或超过阈值 激光光谱，谱宽约为几埃。 (3)输出波长 工作波长随结构的不同而不同。 * 1.半导体激光器 以半导体材料作为工作物质的激光器。是实际应用中最重要的一类激光器。 2.特点 超小型、高效率、寿命长、结构简单、价格便宜;采用注入电流的方式泵浦；工作电压和电流与集成电路兼容，可与之单片集成。 3.应用 在光纤通信、激光唱片、光存储、全息照相、数码显示、激光打印、激光测距、医疗等领域得到广泛的应用。在光信息处理、光计算机等新领域也将发挥重要的作用。 4.发展史简介 1962年林肯实验室的科学家Robert Rediker, Tom Quist和 Robert Keyes等人用GaAs制成了发光二极管(LED), 发现它的辐射效率很高。 Robert Hall利用扩散的GaAs的pn结，将两个端面抛光成镜形成F-P腔，在1963年9月中旬研制成功半导体激光器(LD)。在77K温度下，获得830nm相干辐射的激光脉冲。 1964年林肯实验室实现了室温脉冲运转，阈值电流为25安培，脉冲宽度为50纳秒。 1967年Henry Kressel研究出了采用异质结构的单异质结激光器。使阈值电流密度从60000安培/平方厘米降到10000安培/平方厘米以下。半导体激光器终于能够稳定的在室温下脉冲运转了。 1969年GaAs单异质结激光器(脉冲)投入生产。 1970年研制成功双异质结激光器。虽然可以连续运转，但是寿命不长，只有几秒到几十秒。 1973年, 双异质结激光器(连续)的寿命达到1000小时。 1975年，GaAs/AlGaAs激光器5～10毫瓦的商品价格为250～350美元，保证寿命仅为1000小时。 随着设计更加合理、工艺不断完善、检测更加严格，半导体激光器的寿命已经达到数万小时以上。 二十世纪80年代中期，CD用的半导体激光器价格已经降至每只1美元左右。 为了适应光纤通讯的需要，研制出了InGaAsP半导体激光器，激光波长为1.55微米，有利于在光纤中的传播。 近十年来，又有一些新的半导体激光技术从实验室进入生产领域，如高功率GaAlAs半导体激光器，前几年，半导体激光器的标准产品就是20瓦，现在已达60瓦(915纳米)和40瓦(808纳米)。 红光和绿光的半导体激光器已经大量生产。 1998年全球半导体激光器的销售数量已经超过3亿只，2000年超过4亿只。半导体激光器的销售金额已经超过整管激光器销售金额的一半以上。1998年为21.49亿美元，占到整个销售金额的55.8%，1999年为28亿美元，约占整个激光器销售金额的56%。 5.半导体激光器的应用领域 (1)光通讯 光通讯是半导体激光器的主要应用领域。1998年半导体激光器在光通信领域共售出198万余只，(在整个半导体激光器的销售数量中占0.6%，但是销售金额高达14亿美元，占65％)。1999年达到18亿美元(占半导体激光器销售金额的64％)。 长距离通讯中主要采用1.3μm和1.55μm激光器。 (2)光存储 光存储是使用半导体激光器最多的领域。1998年半导体激光器在光盘领域共销售2.7亿只，占整个半