适用于SMT的E频段无线电前端——参考设计采用英飞凌E频段收发器.PDFVIP

产品简介 适用于SMT的E频段无线电前端——参考设计 采用英飞凌E频段收发器芯片组BGT70和BGT80的 3 Gbit/s FDD无线电 宽带无线回传技术已成为经济高效的高速无线网络的重要组成部分。随着无线数据业务的 爆炸式增长，电信公司必须部署千兆级回传链路。由于近似于免许可的E频段已能提供10 参考设计特性 GHz 的带宽以及半导体技术的进步，E频段链路的发展日益迅猛。英飞凌的毫米波收发器 BGT70/BGT80，为实现这种高性能Gbps链路创造了条件。BGT70/BGT80收发器采用英飞凌先  64-QAM调制方式：输出功率+12 dBm 进的SiGe:C技术，实现很高的集成度，并且封装在eWLB封装中，可为客户带来性能、价格  3 Gbit/s全双工数据传输速率 和上市时间方面的优势。  支持1 GHz信道间隔，调制方式可配置： 从QPSK到128-QAM RF前端参考设计（图1）在紧凑的主板上装有两个E频段MMIC收发器。英飞凌可提供适用于  FDD工作模式 低频段（71–76 GHz ）和高频段（81–86 GHz ）工作模式的独立硬件版本。RF模块可以装在  基于BGT70/BGT80设计，带Rx AGC环路、 RO3003 PCB上，转换模块（差分到单端、差分到波导管）经过改进可以使电路板损耗达到 Tx-Rx基带滤波器以及附加功率放大器， 最低。为了能用复杂的调制方式（128-QAM）覆盖更大的距离，BGT70/BGT80的输出端装有 可让天线端口的饱和输出功率Psat达到 两个封装型GaA功率放大器（PA）。 +21 dBm  适用于低频段和高频段工作模式的独立硬件版本 BGT70/80的接收器输入端装有一个封装型低噪放大器（LNA），可提高系统的整体灵敏度。  +12 V DC 电源 主板的接收和发送部分拥有模拟差分I-Q接口、基带滤波器、可变增益放大器（VGA ）。此 外，主板上还配备英飞凌XMC4200 32位ARM® Cortex™-M4单片机、用于消除功率放大器偏置 的控制电路，以及电源电压调节器。 双工器直接安装在收发器上，可以缩小最终组件的尺寸。 图1：RF前端参考设计 Motherboard Diplexer Filter with FR4 PCB RF Module with Antenna Port USB Connector RO3003 PCB Infineon XMC4200 Power Supply Packaged GaAs Packaged GaAs E