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场效应管的交流小信号模型
§4.4 场效应管的交流小信号模型 §4.4场效应管的交流小信号模型 lugh@ustc.edu.cn * 提纲 1. 低频交流小信号模型 2. 高频交流小信号模型 1. 低频交流小信号模型 交流小信号模型 FET处于饱和状态时，可用作交流小信号放大，其工作特性可用线性等效电路来表示，称为FET的交流小信号模型 1. 低频交流小信号模型 说明 不同类型FET，只要它们都偏置在饱和电流区，则在交流小信号激励下，其交流小信号模型相同，区别仅在于模型参数与具体器件参数相关 1. 低频交流小信号模型 电路结构 1. 低频交流小信号模型 基本思路 将FET看作双端口网络，利用端口网络的Y参数方程来描述FET，求解模型参数 说明 对FET而言， ,故仅需讨论输出端模型参数 1. 低频交流小信号模型 1. 低频交流小信号模型 低频小信号模型 说明 该低频小信号模型适用于各类FET器件 1. 低频交流小信号模型 N-JFET小信号模型参数 1. 低频交流小信号模型 说明 不同的直流工作点对应不同的跨导参数，这一点与晶体三极管交流发射结电阻相似，因此对于FET基本放大电路，仍然必须先做直流分析，再做交流分析 2. 高频交流小信号模型 高频小信号模型 在低频小信号模型的基础上，引入三个电极之间的电容，构成FET的高频小信号模型 各极间电容大小为pF量级 2. 高频交流小信号模型 模型特点 与BJT的高频小信号模型有所区别，FET的高频小信号模型中包含三个极间电容 与BJT的高频小信号模型相似，FET的高频小信号模型也并非单向化模型，应用时，需做单向化近似 * * University of Science and Technology of China
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