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外延概念 Epi + taxis → epitaxy 外延生长工艺是在单晶衬底的表面上,按照器件或电路设计所需要的电阻和厚度，沿衬底的结晶方向淀积一层新的单晶的方法，衬底晶片作为籽晶，所生长的单晶层是衬底晶格的延伸。包括伴随化学反应的淀积和不发生化学反应的物理淀积。与先前描述的单晶生长不同在于外延生长温度低于熔点许多； 外延的分类 按外延层的性质：同质外延、异质外延 外延层与衬底材料是否相同？ ※这里的相同包含了化学和结晶学两方面的含义。化学成分相同但晶体结构不同也是一种异质外延。 e.g 6H-SiC/3C-SiC 异质外延 ※ 异质外延 二者的晶体结构必须相同或相近 e.g 蓝宝石上外延硅或砷化镓√ 玻璃衬底只能淀积非晶（低温）或多晶（高温） 薄膜 按相变过程：气相外延VPE 液相外延LPE 固相外延SPE VPE：源材料（或反应物）通过气相输运并在气相中（或衬底表面）进行化学反应而在衬底上生长单晶薄层的技术，是气→固相变过程 LPE：过饱和溶液在衬底上的外延生长，是液→固相变过程 SPE：生长源为固态，直接或通过固体的中间介质向生长界面输送生长物质，是固→固相变过程 按外延生长方法：直接外延、间接外延 直接外延：用加热、电子轰击或外加电场等方法使生长的材料原子获得能量直接迁移至衬底表面上完成生长的办法。 ※代表：分子束外延（MBE） 关键：超高真空 间接外延：利用化学反应在衬底表面上沉积外延层， 常见的间接外延工艺：CVD 化学气相沉积CVD（chemical vapor deposition）通过气体化合物间的化学作用在衬底表面沉积生长外延层的工艺。严格讲只有生长薄膜为单晶的可称为外延生长。 CVD工艺包括常压（NPCVD）和低压（LPCVD）热壁（HWCVD)和冷壁（CWCVD)。另外还有等离子体PECVD和光CVD。 金属有机化学气相沉积（MOCVD) 外延生长的特点 P103 气相外延生长的前提条件 在沉积温度下，反应物有足够高的蒸气压 生成物中，除了一种所需要的沉积物为固态外，其余必须是气态 沉积物本身的蒸气压应足够低，以保证在整个沉积反应过程中能使其保持在加热的衬底上 衬底本身的蒸气压在沉积温度下也应足够低，不易挥发 本章主要介绍 外延生长基础理论 外延层中的掺杂 外延层中的缺陷 对大规模集成电路的外延生长的工艺考虑 外延生长设备 外延层的表征 硅外延的选择性沉积 硅的分子束外延 硅外延中的化学反应 常用的硅源及其特性 硅VPE中主要利用了以下三类化学反应 ①氢还原反应 ②歧化反应（自身氧化还原反应） ③热分解反应 硅外延生长的动力学过程 气-固表面反应复相反应动力学模型 均质反应动力学模型 无论是数学模型还是理论的建立都还不完善 气-固表面反应复相反应动力学模型 反应物气体向反应区输运 反应物穿过边界层向衬底表面迁移 反应物吸附在衬底表面 在衬底表面发生化学反应以生成薄膜和反应副产物，原子移动到晶格点阵， 副产物气体从表面脱附并穿过边界层向主气流中扩散 气体副产物及未反应的反应物分子离开沉积区并排出系统 总反应速度由最慢的一步决定 低温时，为表面化学反应控制 高温时，为质量输运控制 均质反应动力学模型 外延生长反应不是在固-气界面上，而是在距衬底表面几微米的空间中发生的。反应生成的原子再转移到衬底表面上完成晶体生长。在反应物浓度很大，温度较高时有可能在气相中成核并长大。 边界层 速度边界层：是一个气体速度为零的固体表面（衬底或支架）和气体速度（平行于衬底）为V0的自由气流之间的过渡层。是一个速度迅速改变的区域。速度变化的薄层。边界层的厚度δ定义为由贴近固体表面到流速为0.99 V0的 厚度 厚度δ（X）与流速v0平方根成反比 质量边界层：具有反应物浓度梯度的薄层 对于液体 δ C≦δ（X） δC≧ δ（X） 温度边界层：温度变化薄层，热传递主要靠分子扩散，而不是对流 边界层理论示意图 Grove简单动力学模型 Grove模型推导 结论： ① ② ③ ④ Grove模型的简化假设与作用 忽略反应产物的流量及反应生长物对衬底的腐蚀 忽略了温度梯度及气流状态对气体质量输运和生长速度的影响 只考虑到复相反应中的步骤2和4 假设反应速度线性地取决于表面浓度（在较低的Y值时成立） 该模型预示了生长过程的两个区域—质量输运和表面反应控制区，并提供了从生长速度的数据对Ks和hG的合理估算 适用于硅外延的气体中的任何一种 外延层的最大生长速度 实验发现：一定温度下，外延