渐变带隙结构在Ⅲ2Ⅴ族太阳电池中的应用-JournalofSemiconductors.PDFVIP

第 26 卷 　第 5 期 半 　导 　体 　学 　报 Vol . 26 　No . 5 2005 年 5 月 　　 C H IN ESE J OU RNAL O F SEM ICONDU C TOR S 　　May ,2005 渐变带隙结构在 Ⅲ Ⅴ族太阳电池中的应用 彭 　华 　周之斌 　崔容强 　叶庆好 　庞乾骏 　陈鸣波 　赵 　亮 (上海交通大学太阳能研究所 , 上海 　200240) 摘要 : 在分析半导体带隙的渐变结构理论的基础上 ,研究了具有渐变带隙结构太阳电池的普遍规律和特点 ,采用 A M PS 软件结合相关试验参数对 Ⅲ Ⅴ族的 Alx Ga1 - x A s 类太阳电池中渐变带隙结构进行了计算模拟 ,并与普通电 池进行了对比分析. 一方面 ,带宽的递增或递减构成的势垒可以形成附加电场 ,帮助少子收集 ,增加少子寿命 ;另一 方面 ,渐变后的带隙会影响实际光谱的吸收效率 ,使得总的载流子产额以及可利用部分发生变化 ,总结出带隙的渐 变结构对载流子实际产生 、收集等情况有着多方面的调制作用. 关键词 : 太阳电池 ; 渐变带隙; 载流子产生 ; 载流子收集 PACC : 7280 E ; 9660 ; 4270Q 中图分类号 : T K5 14 　　　文献标识码 : A 　　　文章编号 : 02534 177 (2005) 2 　渐变带隙结构理论 1 　引言 2 1 　Harrison 线性模型 ( ) 对某些 Ⅲ Ⅴ族化合物半导体合金 混晶 ,其晶 ( 格常数和带宽 本文一律使用“带宽”一词来简写和 对渐变带隙的研究最早起源于异质结两边材料 ) [ 5 ] 指代“带隙宽度”和“禁带宽度”一般近似随组分作 的能带突变研究 ,例如 Al GaA s/ GaA s 异质结 ,在 线性变化 ,因此可以生成与衬底材料晶格匹配良好 , Δ Δ 交界面上存在导带带阶 Ec 和价带带阶 Ev , 而 同时具有渐变带隙结构的化合物 ,如常见的三元化 Δ Δ Δ Eg = Ec + Ev . 当把 GaA s 看做是三元化合物 合物 Al GaA s , Ga In P 或四元化合物 Al Ga In P , Al Δ Δ Alx Ga1 - x A s 中 x = 0 时 ,那么 Ev 和 Ec 其实就是 GaN A s 等. 此种结构在实践中已经有相当程度上的 x 取不同值时的Alx Ga1 - x A s