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高频电路之静电放电防护设计
高頻電路之靜電放電防護設計 (1)
追求更高的工作速度與更優良的電路性能,是高頻及高速積體電路設計不斷
努力的方向。根據電晶體理論,當電晶體的尺寸縮小時,可獲得較高的工作
頻率,因此在元件製程進入奈米領域之後,隨著縮微 (scaled down)的快速
發展,電晶體的操作頻率也得以順利地提昇。然而在奈米製程技術中,電晶
體閘極氧化層 (gate oxide)的厚度逐漸變薄,其崩潰電壓也隨之降低,只要
幾伏特的靜電電壓便會將閘極氧化層打穿,因此必須設計出適當的靜電放電
防護電路(ESD Protection Circuit) ,以避免高頻積體電路遭受靜電放電轟
擊而損壞。
1
高頻電路之靜電放電防護設計 (2)
應用於2.4GHz之靜電放電防護設計
應用於60GHz之靜電放電防護設計
2
癲癇治療電子系統
3
適應式神經電流刺激器
Adaptive High-Voltage-Tolerant High Voltage Generator
V
Stimulator DD
VCC
High-Voltage-Tolerant 5-Stage Charge Pump
VSTB Output Drive Current
Driver Level Controller clk clkb R1
Shifter
Tapped Buffer
+
Electrode High Voltage Generator clkr Pulse- - V
and Brain VCC 5-stage
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